EUV Projection, EUV 투영 광학은 광학 리소그래피 시스템에서 필수적인 구성 요소입니다. 이 광학계는 복잡한 패턴을 웨이퍼에 고정밀로 투사하는 역할을 합니다.이번 포스팅에서 투영 광학과 관련된 핵심 기술을 알아보고... 미러 표면, 미러 계측 및 다층 코팅 제조의 기본적인 측면에 대한 간략한 설명을 알아봅시다! Basic design specifications 효과적인 광학 리소그래피 공정을 위해 웨이퍼에 노출될 필드의 표준화된 모양은 스캔 후 26mm x 33mm의 직사각형 영역입니다. MAG(Magnification)는 X4배율로 설정되어 최종적으로는 104mm x 132mm의 필드가 생성됩니다.이 구성을 사용하면 필드를 6인치 마스크에 완벽하게 맞을 수 있습니다. 스캔 과정에서 전체 너..

결론: Critical illumination과 Köhler의 차이점은 Critical 조명은 마스크에 직접 광원을 투영하는 반면, Köhler 조명은 광원을 pupil에 입사시켜 광원 강도 변동으로부터 빛 분포를 분리한다! 이전 포스팅에 이어 EUV 광학계를 구성하는 또 다른 광학 모듈인 조명계를 이번 포스팅을 통해 간단하게 알아보려합니다. 모든 이미징 시스템의 중요한 부분인 광학 모듈은 선명하고 상세한 이미지를 만드는 데 도움이 되는 방식으로 빛을 전달하는 역할을 합니다. 이러한 모듈은 종종 거울, 렌즈 및 기타 광학 요소의 복잡한 배열로 구성되며 각각은 시스템의 전체 기능에서 특정한 역할을 합니다.그중에서 조명, 특히 EUV Illuminator 는 사전 정의된 조사 각도에서 마스크를 균일하게 비추..

EUV 스캐너는 거울, 렌즈 및 센서의 복잡한 시스템을 사용하여 극자외선을 실리콘 웨이퍼에 직접 집중시키는 설비입니다. 이 설비를 통해서 패턴을 웨이퍼에 여러 번 노광하여 원하는 회로를 레이어별로 구축하는 작업을 진행합니다. 이렇게 중요한 임무를 지니고 있는 EUV 스캐너의 정밀도와 정확도는 복잡한 디자인과 고성능을 갖춘 반도체를 성공적으로 제조하는 데 매우 중요합니다. 여러가지 전기, 전자, 광학 등의 모듈이 있지만 이번 포스팅에서는 광학 모듈 중 핵심인 EUV Collector에 대해서 알아 보겠습니다. 콜렉터가 무엇인지 설명하기전에 EUV 스캐너에서 작동하는 광원의 속성을 우선 알 필요가 있습니다! EUV 스캐너의 핵심은 리소그래피 공정에 필요한 EUV 광을 생성하는 플라즈마 소스에 있고 플라즈마를..

EUVL은 13.5nm의 파장을 가진 빛을 이용하죠. 파장이 193nm보다 훨씬 작습니다.이러한 노출 파장의 감소는 향상된 정밀도와 해상도로 복잡한 패턴을 구현할 수 있게 합니다. 그러나 극자외선(EUV) 빛의 고유한 특성으로 인해 몇 가지 난제가 있죠 EUV 빛은 재료와 가스에 의해 강하게 흡수되므로 진공 상태에서 전체 광학 시스템을 작동해야 합니다.따라서 마스크를 포함한 모든 광학 요소는 미러여야 합니다. 또한 EUV 파장에서 재료의 굴절률이 1에 가까워서 미러 코팅을 위한 Bragg 반사를 이용한 HR 다층 스택을 사용하게 됩니다.공정에 있어 레일리 식, 해상도 관련한 공식은 이제 다들 아실 것 입니다. 공정 성능을 높이기 위해 , 조리개, 즉 NA는 High-NA로 증가되어야하며. 공정상수K1은 ..

EQ-10 무전극(Electrodeless) Z-Pinch™ 소스는 무엇일까요? 이 기술은 플라즈마를 이용하며 상대적으로 유지보수가 필요 없는 소스입니다. 양산성에 PM/BM은 중요조건인데 이 기술에 적합하고 딱 좋은 기술임은 바로 알 수 있을 것입니다. (에너제틱 사의 광원 모델 EQ-10에 대한 이야기입니다.) EQ-10의 두드러진 특징은 Z 핀치 전류를 생성해서 사용하는 것이죠. 이는 혁신적인 접근 방식입니다. 일반적인 플라즈마 소스는 전극을 통한 전도현상에 의존하죠. 이는 안정성 문제와 전극 침식 문제로 인해 오염이 발생하는 문제로 가득 찬 공정입니다. 그러나 EQ-10은 변압기 코어를 통한 유도를 활용하여 전극이 필요가 없습니다. 이러한 뚜렷한 차이는 뛰어난 공간 안정성과 오염물질 생산의 엄청난..