두개의 평면거울들의 한쪽 모서리들이 사이 각 양로 각을 이루고 있어 한쪽 거울 면에 입사된 광선은 다른 쪽 거울 면에 입사된 후 다시 반사되어 편향 각을 갖고 진행되어 나간다. 그림에는 거울들의 모서리 부분들에 수직 인 단면들에서 광선의 경로를 보여준다. 하단의 거울과 평행하게 입사된 광선은 반사되어 또 다른 거울에 입사된 후 다시 반사된다. 최종적으로 반사되어어 밖으로 나가는 광선은 최초 입사 광선과 교차된다. 편향각은 입사광선의 경로선분과 나가는 광선의 경로선분 사이 각으로 주어진다. 8 = 2"(

빛을 반사하는 거울들에는 평면거울, 포물면거울, 타원면거울, 구면거울 등 이 있는데 이들 거울 면에 입사된 광선들은 반사의 법칙에 따라 반사된다. 방향이 서로 다른 무수히 많은 광선들이 거울 앞 에 있는 점광원, P1으로 부터 나온다고 가정해보자. 방향이 다른 이 광 선들이 거울 면에 도달 하면 각각의 도달점에 세운 가상의 수직선 에 대하여 서로 다른 입사각을 갖게 되므로 각각의 반사각이 서로 다르게 되고, 마치 거울 뒤의 P2에서 나온 것처럼 반사 되어 진행된다. P2는 P1의 상이다. 평면거울의 상은 물체와 크기가 같고 좌우가 반전된다. 그림의 P2점 에는 실제 광원 역할을 하는 물체가 있는 것이 아니므로 상은 허상이 된다. 실제적인 경우에서는 거울 면이나 경계면에서의 빛의 반사는 다음의 2가지 이유..

오늘은 ML부터 이야기를 해볼까합니다. 시작하겠습니다. 13.5 nm의 반사 광학에 기반한 EUVL 기술은 현재 Mo/Si 반사 코팅을 EUV 반사기로 사용하여 개발되고 있습니다. Mo/Si MLM은 다른 분광학 애플리케이션에도 사용되었습니다. Mo/Si MLM은 일반적으로 Mo와 Si 층이 교대로 주기적으로 쌓이는 스택으로 증착됩니다. 개별 층을 통한 반사가 작음에도 불구하고 MLM의 모든 인터페이스에서 371개의 반사가 서로 간섭하여 13.5 ± 0.2 파장에서 70%에 가까운 총 반사율을 생성할 수 있습니다. 이러한 간섭 기반 미러에서 가장 높은 반사율을 얻으려면 이중층 주기를 특정 파장에 맞춰 조정해야 합니다. EUV 범위에서 거의 정상 입사 반사율을 얻으려면 이중층 주기가 약 6.9nm가 되어야..

이전 포스팅에서 기초만 다루었죠? 이제 심도깊게 살펴보겠습니다. [심화] 오염이 되는 과정 이온화된 EUV 소스는 대기와 상호 작용하여 미량의 수증기 또는 유기 분자가 있는 상태에서 광학 표면을 오염시킵니다. 유기 분자가 광학 표면에 흡착될 때, 고에너지 방사선 또는 소스가 방출하는 2차 전자에 의해 균열될 수 있습니다. 이러한 작용은 표면을 오염시키는 탄소 피막의 형성으로 이어집니다. 또한 흡착된 물 분자는 광학 표면 자체를 공격하는 강력한 산화제로 작용합니다. 그러나 이 두 공정은 유기 분자 또는 탄소 오버레이의 존재가 산화를 감소시키거나 탄소 오버레이의 에칭을 초래할 수 있는 반작용 효과를 가질 수 있습니다. 소스 오염에 의한 광학 탄화 및 산화 문제는 최초로 싱크로트론 실험에서 관찰되었습니다. E..

Hero's(헤론) 최단거리의 원리와 반사의 법칙 유클리드는 균질한 매질 내에서 빛은 직선경로를 따라 이동하는 것을 관찰하였는데, 이것은 기하광학의 기본적인 가정이다. 전파경로가 직진 함을 나타내기 위하여 물리적으로는 존재하지 않지만 빛의 경로는 직선 성분으로 가정한다, 그리고 이것을 광선이라 부른다. 관련해서 연구하던 Hero는 B.C 2세기경에 다음과 같은 원리를 제시했다 최단거리의 원리(PrincipIe of Least Distance): 빛이 2점 사이를 이동할 때, 빛은 최단 경로를 통하여 이동 한다. 어떤 경계에 입사한 광선에 대하여 기술할 때는 광선의 입사각을 포함하여 생각하는 것이 편리하다. 광선의 입사각은 광선 자체와 경계면에 대한 법선(수직선) 사이의 각이 된다. 입사광선과 수직선이 포..