EUV 마스크 오염과 세척 EUV 펠리클 공정 중 오염은 EUVL 기술을 HVM에 적용하기 위해 해결해야 할 중요한 문제 중 하나입니다. 펠리클은 마스크의 패턴화된 표면 위에 장착된 물리적 입자 차폐 및 보호 필름입니다. 인쇄 가능한 입자의 임계 크기는 이미징 표면 위의 펠리클에서 마스크 표면의 입자에 비해 훨씬 더 큽니다. 펠리클이 없는 경우와 펠리클이 있는 경우의 오염에 의해 회절된 빛의 경로 EUV 펠리클을 통과하는 EUV 빛의 이중 통과는 반사 마스크에 의해 결정되는데요. EUV 펠리클의 투과율이 90%인 경우, 광량은은 입사광의 81% 수준으로 감소합니다. 이는 20%의 광(생산성) 손실을 의미하며, 이렇게 손실된 에너지는 펠리클 멤브레인을 가열로 이어져 펠리클의 열과 기계적인 문제를 유발할 수..

흡수체 스택 및 패턴 EUV 마스크에는 ML 위에 흡수체 스택이라고 하는 2중 또는 3중 필름이 필요합니다. 흡수체 패턴 형상에 의한 그림자 효과를 최소화하려면 흡수체 스택을 더 얇게 만드는 것이 좋겠죠? 필요한 경우 흡수체 스택에 Phase shift 레이어와 ARC를 추가하기도 합니다. 흡수층 흡수층은 높은 EUV 흡수, EUV 방사 하에서의 안정성, 전도성, 캡핑층에 대한 높은 식각 선택성(버퍼는 더 이상 사용되지 않으며 적어도 널리 사용되지는 않음) 등 여러 특성을 나타내야 광학 표면 결함 검사를 수행할 수 있습니다. 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 화합물을 포함한 여러 후보 물질이 전통적으로 제안되었는데... 그중에서도 Ta 기반 물질이 널리 연구되고 있습니다. (Soft) X-Ra..

이 글을 쓰기까지 ML에 대한 글 2개를 작성했군요. 이전에는 포괄적인 ML이라면, (사실 ML은 거기서 거기지만) 이번 포스팅에서는 Mask ML에 대해서 집중적으로 알아보겠습니다. ML 증착 공정 이제는 다들 아시겠지만 EUV 파장에서는 모든 재료의 굴절률이 1에 가깝고 투과율과 반사율이 거의 0에 가깝습니다. 따라서 모든 EUVL 광학장치는 반사율이 높아야 하며, 서로 다른 EUV 광학 상수를 가진 여러 개의 재료 층이 교대로 구성된 ML 코팅 미러는 EUV 빛을 간섭하여 높은 반사율을 달성할 수 있는 유일무이한 솔루션입니다. (이 '솔루션'은 마스크 뿐만 아니라 미러에도 적용되죠!, 여튼 다시 돌아와서) 프레넬 방정식에 따르면 경계면에서의 반사율은 굴절률 차이의 제곱에 비례합니다. 일반적으로 ML..

포토 마스크 기술은 반도체 제조 공정에서 EUVL을 성공적으로 구현하기 위한 가장 중요한 문제 중 하나로 꼽힙니다. EUV 빛은 대부분의 소재에 강하게 흡수되기 때문에 마스크 구조를 포함한 모든 광학 부품에 반사 광학이 적용됩니다. 그 결과 다층 미러(MLM)를 기반으로 하는 EUV 마스크 구조는 기존 광학 리소그래피와 근본적으로 다릅니다. 이를 위해서는 나노 단위의 박막 기술이 필요합니다. 13.5nm 파장 빛을 반사하려면 서로 다른 EUV 광학 상수를 보이는 여러 층의 재료가 번갈아 가며 구성된 ML 구조가 필수적입니다. 브래그 반사는 정상에 가장 가까운 입사각에서 EUV 반사를 최대화하기 위해 필요하며, 그 효율은 구조(예: 각 층의 두께 및 비율)와 광학 특성(굴절률 및 소멸 계수)에 의해 결정됩..

아래 그림에서 처럼 굴절률이 작은 매질 내에 있는 평면파면 AB가 굴절률 이 큰 매질과의 경계면 A점에 t = 0시간에 도달한다고 하자. A점은 굴절률이 큰 매질로 들어가는 잔물결들의 새로운 근원점이 된다. Huygens는 밀도가 큰 매질에서는 잔물결이 더욱 느리게 이동한다고 가정했다. 결과적으로 파면이 B로부터 D로 속도 Va로 굴절률이 작은 매질을 지나는 동안에 잔물결은 굴절률이 큰 매질에서 속도 Vb로 이동하여 반경 AC에까지 확장된다. B로부터 D까지 가는데 경과되는 시간은 A로부터 C까지 이동하는데 경과되는 시간과 같다. 따라서 각각의 매질에서의 경과 시간들은 \( t = \frac{BD}{Va} = \frac{AC}{Vb} \) 또한 잔물결의 반경은 다음과 같다. \( AC = \frac{Vb..