이전 포스팅에 이어 계속 하려합니다. 쭉 언급한 내용이지만 중요하게 짚고 넘어가야 할 점은 EUV 빛은 흡수가 잘되기에 투과가 되지않습니다. 그러므로 EUV 광학계는 투과 광학계 대신 반사 광학게를 사용하여 빛을 웨이퍼에 전달하는 시스템을 가지고 있습니다! 그러기에 EUVL에 사용되는 광학 시스템은 복잡하고 복잡하게 설계되어 반사 이미징 시스템 설계의 지속적인 혁신과 발전이 필요합니다. 이전의 포스팅에서도 설명하였듯, EUVL 광학 시스템의 발전은 Schwarzschild 광학의 구현으로 시작되었습니다. 다시한번 간략하게 설명드리자면 독일의 물리학자이자 천문학자인 Karl Schwarzschild의 이름을 딴 Schwarzschild 광학은 두 개의 거울을 활용하는 광학 시스템입니다. 이 구성은 EUVL..

잠시 다른 길로 빠지자면 사실 EUV는 처음부터 EUV가 아니었습니다. 1990년대 초 까지는 SXPL(Soft-X-ray Projection Lithography)로 불렸습니다. X-선 근접 리소그래피(XPL)와 구별하기 위해 1993년에 소프트-X-선 리소그래피(SXPL)에서 극자외선 리소그래피(EUVL)로의 이름 변경이 되었죠. 새로운 이름은 EUVL과 당시 널리 사용되었던 DUV 리소그래피의 관계를 반영했습니다. 위 그림은 대략적인 로드맵입니다. 한 눈에 보기 편하죠? 전부 소개 하고싶지만, 지루할게 뻔하니 빠르게 대표적인 두 가지만 살펴 보겠습니다. 진정한 EUV의 탄생이라고 봐야 할까요? 여하튼...계속 진행하겠습니다! 한번 EUV 노광장비 원리?.. 기본적인 것!, 즉 광학계 발전과정을 알아..

끊임없이 발전하는 반도체 기술 세계에서 칩에 적용되는 트랜지스터의 지속적인 성장은 신제품이 나왔다고 할 때마다. 특히 놀랍습니다. 지난 30년 동안 트랜지스터의 수는 기하급수적으로 증가하여 무어의 법칙처럼 18개월마다 약 두 배가 되었습니다. 이러한 성장과 함께 리소그래피의 중요성이 증가하고 있습니다. 리소그래피는 반도체 칩에서 더 작은 구조 및 회로 크기와 더 조밀한 오버레이를 달성하는 데 중요한 역할을 하죠. 다양한 리소그래피 기술 중에서 High NA Immersion Photo-Lithography가 시장을 이끌었지만, 더 높은 해상도와 더 큰 초점 심도가 필요함에 따라 EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography) EUV 리소그래피라는 새로운 공정 기술이 대체 솔루션으로 등..