이전 포스팅에서 다층 고반사 박막을 알아보았고, 이번 포스팅에서는 EUV를 비롯 포토리소그래피에서 가장 중요한 파트 중 하나를 맡고 있는 포토레지스트, 즉 EUV 포토레지스트에 대해 간략히 소개하고자 합니다. EUV 포토레지스트의 개발은 수십 년 동안 진행되어 온 길고 긴 여정입니다. 고해상도 반도체 장치에 대한 요구는 EUV 리소그래피의 개발을 주도했으며, 이는 EUV 빛에 민감한 특수 레지스트 개발을 필요로 했습니다. 이러한 레지스트는 날이 갈수록 점점 더 작아지고 복잡해지는 반도체 장치에 복잡한 패턴을 생성하는 데 중요한 역할을 합니다. 이번 포스팅에서 반도체 제조의 리소그래피 공정 중에 EUV 빛에 적절하게 반응하는 포토폴리머 또는 레지스트의 개발의 주요 이정표, 성과, 과제 및 향후 전망을 포괄..

이번 포스팅에서는 미러의 제조 방법과 개발 역사에 이어 미러에 적용되는 EUV 전용 고반사 다층박막에 대해 소개하고자 합니다. 먼저 EUV에 대해 간략하게 설명하자면...(다들 아시겠지만)EUVL은 자외선 범위에서 매우 짧은 파장의 빛을 사용하여 실리콘 웨이퍼에 패턴을 그리는 것을 말합니다. 쉽게 말해 웨이퍼라는 도화지 위해 그림 그리는 것이라고 생각해주세요 EUVL은 매우 짧은 자외선 파장을 사용하여 실리콘 웨이퍼에 복잡한 패턴을 생성합니다. 참고로 짧은 파장을 이용하여 패턴을 형성할 경우 더 세밀한 패턴을 제작할 수 있고 반도체의 성능은 더 좋아집니다! 그러나 EUVL의 가장 큰 난제는 빛의 흡수에 있으며, 광의 전달이 가장 큰 고민거리였습니다. 결국 반사광학계의 차용을 통해서 EUV 광을 전달 할 ..

비구면 거울의 제조가 개선되는 동안 가시광선 PMI를 사용한 미러 제작의 평가도 큰 발전을 이루었습니다. 이 기술을 통해 제조업체는 제조 공정 중과 제조 공정 후에 거울의 표면 프로필을 측정하여 품질과 일관성을 보장할 수 있었습니다. 그러나 가시광선 PMI에는 한계가 있었습니다. 고주파수 표면 거칠기를 정확하게 특성화 하기에 어려웠습니다. 그 결과, 보다 미세한 스케일로 표면 세부 사항을 측정하는 고급 기술에 대한 요구가 증가했습니다. 이러한 요구로 고주파 간섭계 현미경의 발명이 되었는데 이 장비는 나노미터 수준에서 표면 거칠기를 측정할 수 있어 가시광선 PMI의 한계에 대한 솔루션을 제공할 수 있었습니다. 그렇기에 상기 기술로 고주파 표면 거칠기를 평가하고 제어할 수 있는 길을 열었습니다. 또 다른 중..

위 그림은 렌즈이지만, 비구면에 초점을 맞춰서 봐주시기 바랍니다. 이전 포스팅에서 이어지는 설명을 담은 포스팅입니다. 바로 미러, 특히 EUV 비구면 미러의 제작 및 개발과정에 관한 포스팅인데요. 자 알아보시죠! EUV은 흡수가 아주 잘되는 빛이기에 렌즈를 사용할 수 없고 반사를 이용해서 광을 웨이퍼에 전달해야합니다. 즉, EUV 미러죠! 하지만 거울 종류에도 여러가지가 있겠죠? 그중에서 비구면 거울을 사용합니다. 비구면 거울이 무엇일까요? 간단히 말해서 비구면 거울은 단순히 구부러진 모양이 아니라 더 복잡한 모양을 가진 특수 설계된 거울입니다. 이 복잡한 모양은 EUVL에 중요한 빛을 더 정확하게 집중시키는 데 도움이 됩니다. 1980년대 후반에 EUV 이미징 시스템용 미러를 만드는 것은 마치 벅찬 산..

Aspherical-Mirror Imaging 이전 포스팅에 이어서 설명을 계속 하겠습니다. 하지만 구면거울이 가지는 수차로 인해 제조공정의 한계가 명백해지면서 비구면거울로의 전환이 불가피해졌습니다. 비구면 거울은 구면 거울과 달리 구면 수차, 즉 중심이 아닌 가장자리 근처에서 거울에 닿는 광선의 굴절 증가로 인해 발생하는 왜곡이 발생하지 않습니다. 이 속성은 EUVL과 같이 높은 정밀도가 필요한 응용 분야에서 매우 중요합니다. 1989년 NTT에서 2개 비구면 미러 이미징 시스템을 개발했습니다. 이 시스템은 리소그래피 노광 설비에 대한 세 가지 최소 요구 사항을 충족했습니다. 이미지 측면에서 텔레센트릭: 시스템은 주광선(조리개 중심을 통과하는 물체 공간의 축외 지점에서 나오는 광선)이 이미지 측면에 평..