3. 푸리에 변환, 그 뜻과 개념
Optical simulation2023. 10. 11. 09:283. 푸리에 변환, 그 뜻과 개념

FDTD는 푸리에 변환을 통해서 TIme 및 Frequency Domain을 계산한다. 푸리에 변환이 뭔지 간단히 알아보자. 푸리에변환, 푸리에급수를 발전시킨 것이다. 푸리에변환은 푸리에급수와 관계가 있다. 푸리에 급수가 무엇이었던가? 주기가 있는 복잡한 파동을 sin, cos 처럼 단순한 파동들의 합으로 표현하는 것이었다. 각 파동들의 계수를 알아내는 것이 푸리에계수였다. Fourier Series 푸리에 급수는 주기 함수를 사인과 코사인 함수의 합으로 나타난다. \(f(t)\)가 주기 \( T \)인 주기 함수인 경우, 푸리에 급수 전개는 다음과 같이 주어진다: \( a_0 = \frac{1}{T} \int_0^T f(t) \, dt \) \( a_n = \frac{2}{T} \int_0^T f(t)..

14. EUV 개발 역사 (14) - 오염 방지 기술에 대하여
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 11. 00:4714. EUV 개발 역사 (14) - 오염 방지 기술에 대하여

DGSS(Droplet Generator Steering System)는 EUV 소스 수집기의 기본 초점을 통해 주석 방울을 정확하게 안내하는 기술입니다. 여기에서 라인 레이저 모듈, 미세 범위 물방울 조정 카메라 및 큰 범위의 물방울 조정 카메라의 세 가지 구성 요소가 작동합니다. 카메라가 볼 수 있도록 물방울을 비추는 등대로 라인 레이저 모듈을 생각하시면됩니다. 이름 그대로 큰 범위의 물방울 스티어링 카메라는 광각 렌즈 역할을 하여 초기 위치 지정을 위한 넓은 시야를 제공합니다. 동시에 미세 범위 물방울 스티어링 카메라는 줌 렌즈처럼 작동하여 빔 얼라인을 위한 미세 조정을 하고 최적 좌표를 계산하고 송출합니다. 이 동적 시스템을 통해 액적 생성기를 빠르고 정확하게 조정할 수 있으며 이는 최적화된 EU..

13. EUV 개발 역사 (13) - Droplet에 대하여
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 10. 00:4513. EUV 개발 역사 (13) - Droplet에 대하여

이전 포스팅에서 간략하게 설명한 Sn droplet, Tin Droplet, 주석 발생기 등등 여러가지고 불리우는 droplet, 한국어로는 액적발생기에 대해서 설명하려합니다. EUV 리소그래피는 실리콘 웨이퍼에 고해상도 패턴을 만들기 위해 약 13.5 나노미터의 파장을 가진 EUV 빛의 생성에 의존합니다. EUV 빛은 주석 방울이 중요한 역할을 하는 레이저 유도 플라즈마로 알려진 프로세스를 통해 생성됩니다. 이 물방울들은 정확하게 광 수집기의 초점으로 전달되며, 여기서 CO2 레이저 펄스가 발광 플라즈마를 생성하는 데 사용됩니다. 주석 방울을 지속적이고 정확하게 전달하는 능력은 안정적이고 신뢰할 수 있는 EUV 광 발생을 달성하는 데 가장 중요합니다. 주석 표적 전달의 복잡성을 이해하는 것은 EUV 소..

12. EUV 개발 역사 (12) - LPP 광원의 심화기술
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 9. 00:4212. EUV 개발 역사 (12) - LPP 광원의 심화기술

드라이브 레이저: 시드 레이저와 증폭기를 포함하는 레이저 토탈 시스템이라고 생각하면됩니다. 그러기에 당연히 전체 시스템 아키텍처에서 중추적인 역할을 합니다. 예시로 20kW 이상의 필요한 출력 수준에 도달하기 위해 여러 단계의 증폭을 포함합니다. 종종 약 50kHz에서 펄스 모드로 작동하는 드라이브 레이저는 메가헤르츠 범위에서 작동하는 발전기의 무선 주파수(RF) 펌핑에 의존하기도 합니다. 빔 전송 시스템(BTS): 빔 전송 시스템은 구동 레이저에서 소스 진공 용기로 레이저 빔의 전달을 용이하게 하는 도관 역할을 합니다. BTS는 터닝 미러 덕분에 팹에서 팹으로 레이저 빔의 통과를 가능하게 합니다. 이러한 기술 덕분에 레이저의 정확한 위치 지정을 보장합니다. 소스 진공 용기(Vessel): 여기에는 포커..

11. EUV 개발 역사 (11) - LPP 광원의 원리
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 8. 00:3711. EUV 개발 역사 (11) - LPP 광원의 원리

이전 글에서도 설명 한 것 처럼.. EUV 광원을 사용하는 반도체 제조 영역에서 LPP (레이저 생산 플라즈마) 소스 시스템은 극자외선(EUV) 리소그래피(EUV lithography)에 매우 중요합니다. 사실상 EUV 원리 설명에 가깝죠. 위 시스템을 통해 EUV 출력 스케일링을 크게 개선했습니다. 무엇보다 더 높은 EUV 출력 수준은 반도체 산업에서 대량 생산(HVM)의 요구 사항을 충족하기에, 매우 중요합니다. 이번 포스팅에서는 일반적인 LPP 소스 시스템에서 시스템 구성의 복잡성에 대해 자세히 설명하고자 합니다. 이전 포스팅보다 심화된 내용이니 참고하세요~ 또한 더 높은 EUV 출력 수준을 달성하기 위해 사용되는 다양한 발전 및 출력 스케일링 기술을 알아봅시다! (사실상 EUV 노광장비 원리 중 ..

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