42. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (4)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 19. 15:1542. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (4)

NEW EUV LIGHT SOURCE FOR INSPECTION "URASHIMA" Light source requirement for APMI APMI에 적합한 광원을 고려할 때 EUV 펠리클의 열부하 문제는 피할 수 없습니다. EUV 펠리클의 투과율은 꾸준히 향상되고 있지만 열흡수율을 무시할 수 없으며 현재 입력 전력의 제한이 있습니다. 고휘도 조명은 고감도, 고처리량 결함 검사에 기여하지만 과도한 열부하는 펠리클을 손상시키기 때문에 사용할 수 있는 조명의 밝기에 한계가 있습니다. 따라서 검사 성능에 한계가 있습니다. 시야각(FOV)보다 큰 크기의 조명과 FOV에 가까운 크기의 조명의 이미지를 위 표에서 볼수 있는데, 맨 위 행은 펠리클의 강도를 나타내고 맨 아래 행은 마스크의 강도를 나타냅니다. 빨..

41. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (3)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 18. 14:4741. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (3)

DIE TO DATABASE INSPECTION FOR CURVILINEAR MASKS Die to database inspection support of ACTIS 앞에서 설명하였듯 ACTIS는 EUV 포토마스크의 D2D와 DDB 검사를 모두 수행하는데, D2D 검사는 동일한 패턴을 가진 두 다이의 영상을 비교하는 반면 DDB 검사는 실제 마스크의 영상을 설계 데이터를 이용하여 시스템의 알고리즘에 의해 생성된 Ref 영상과 비교하며 두 영상의 차이는 검출된 결함을 나타냄을 알고가야합니다. 다시 돌아와서 DDB 검사는 D2D 검사에 비해 민감도가 높습니다. 이는 DDB 검사에 사용되는 Ref 영상이 실제 마스크 패턴 영상에 존재하는 거칠기 정보를 포함하지 않아 높은 신호 대 잡음비(SNR)를 달성할 수 ..

40. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (2)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 17. 14:2840. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (2)

지금도 Node shrinking을 통해 반도체 소자의 성능 향상이 이루어지고 있습니다.패터닝 공정에서 고해상도 EUV 리소그래피가 적용되고 있죠. 마스크 제조 시 각 공정마다 EUV 파장을 사용하는 마스크 계측(Mask Inspection) 및 검사 툴이 필요합니다. 그리고 기판, 반사 다층, 흡수체의 결함을 검출하기 위해 광학 검사 시스템과 EUV Actinic 검사 시스템이 사용되는데.패터닝 후 노광 전 마스크 검증을 위해 D2D 또는 DDB 검사 또한 필요합니다. 그래서 여러 파운드리의 니즈를 반영한 레이저텍의 설비, ACTIS 시리즈가 계속 출시되고 있죠. Actinic 광을 사용하는 EUV 마스크 검사는 다른 파장의 검사보다 노출 시 결함의 영향을 더 정확하게 예측할 수 있는 특징이 있습니다...

39. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (1)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 17. 10:4639. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (1)

레이저텍은 2019년에 Actinic Patterned Mask Inspection (APMI) 시스템, ACTIS를 2019년에 출시했으며, 현재까지 EUV용 Actinic 검사 솔루션 지속적으로 제공하고 있죠. ACTIS는 EUV 포토마스크의 고해상도, 고처리량 검사에 주로 사용되는데, EUV 파장을 광원으로 사용하기 때문에 모든 EUV 마스크 결함을 검출할 수 있는 능력은 가지고 있죠. 당연하지만 EUV 광을 가지고 검사한다는게 정말 쉬운 일은 아닙니다. EUV 소스의 종류는 다양하고, 사양도 다르고 그 특성도 다 다릅니다. 상업화된 광원을 가져온다는것도 쉽지않고 그 광원을 독자 설비에 적용하는건 더더욱 어렵거든요. 다시 돌아와서, Actinic Inspection는 일반적으로 위상 결함을 검출하는..

38. EUV 파장은 왜 13.5 nm 인가요?
Semiconductor/EUV lithography2023. 11. 4. 11:3838. EUV 파장은 왜 13.5 nm 인가요?

EUV가 도대체 뭐죠? EUV는 무엇이고?, EUV 파장은 왜 13.5 nm 인가요? 우선 EUV가 무엇인지부터 간단히 짚고 넘어갑시다!. 우선 EUV는 극 자외선을 의미합니다. 약 13.5 nm의 파장의 빛이며, 일반적인 자연 상태에서는 존재하지 않습니다. 인공적으로만 만들어질 수 있으며 고 에너지로써 공기에서도 흡수가 활발히 일어나기에 이를 사용하기 위해서 진공 환경은 필수적입니다. 13.5 nm 파장의 중요성 이전 포스팅에서도 설명했던 무어의 법칙이 지속되기 위해서는 반도체의 성능이 당연히 향상되어야겠죠? 반도체의 성능은 속도, 전력효율 등 여러가지 요인이 작용합니다. 이러한 성능향상 요인중에 가장 빠르게 작용하는 것이 회로의 선폭입니다. 칩의 회로를 리소그래피 공정으로 그릴 때, 빛의 파장이 작으..

image