잠시 다른 길로 빠지자면 사실 EUV는 처음부터 EUV가 아니었습니다. 1990년대 초 까지는 SXPL(Soft-X-ray Projection Lithography)로 불렸습니다. X-선 근접 리소그래피(XPL)와 구별하기 위해 1993년에 소프트-X-선 리소그래피(SXPL)에서 극자외선 리소그래피(EUVL)로의 이름 변경이 되었죠. 새로운 이름은 EUVL과 당시 널리 사용되었던 DUV 리소그래피의 관계를 반영했습니다. 위 그림은 대략적인 로드맵입니다. 한 눈에 보기 편하죠? 전부 소개 하고싶지만, 지루할게 뻔하니 빠르게 대표적인 두 가지만 살펴 보겠습니다. 진정한 EUV의 탄생이라고 봐야 할까요? 여하튼...계속 진행하겠습니다! 한번 EUV 노광장비 원리?.. 기본적인 것!, 즉 광학계 발전과정을 알아..

끊임없이 발전하는 반도체 기술 세계에서 칩에 적용되는 트랜지스터의 지속적인 성장은 신제품이 나왔다고 할 때마다. 특히 놀랍습니다. 지난 30년 동안 트랜지스터의 수는 기하급수적으로 증가하여 무어의 법칙처럼 18개월마다 약 두 배가 되었습니다. 이러한 성장과 함께 리소그래피의 중요성이 증가하고 있습니다. 리소그래피는 반도체 칩에서 더 작은 구조 및 회로 크기와 더 조밀한 오버레이를 달성하는 데 중요한 역할을 하죠. 다양한 리소그래피 기술 중에서 High NA Immersion Photo-Lithography가 시장을 이끌었지만, 더 높은 해상도와 더 큰 초점 심도가 필요함에 따라 EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography) EUV 리소그래피라는 새로운 공정 기술이 대체 솔루션으로 등..