EUV 마스크 오염과 세척 EUV 펠리클 공정 중 오염은 EUVL 기술을 HVM에 적용하기 위해 해결해야 할 중요한 문제 중 하나입니다. 펠리클은 마스크의 패턴화된 표면 위에 장착된 물리적 입자 차폐 및 보호 필름입니다. 인쇄 가능한 입자의 임계 크기는 이미징 표면 위의 펠리클에서 마스크 표면의 입자에 비해 훨씬 더 큽니다. 펠리클이 없는 경우와 펠리클이 있는 경우의 오염에 의해 회절된 빛의 경로 EUV 펠리클을 통과하는 EUV 빛의 이중 통과는 반사 마스크에 의해 결정되는데요. EUV 펠리클의 투과율이 90%인 경우, 광량은은 입사광의 81% 수준으로 감소합니다. 이는 20%의 광(생산성) 손실을 의미하며, 이렇게 손실된 에너지는 펠리클 멤브레인을 가열로 이어져 펠리클의 열과 기계적인 문제를 유발할 수..

흡수체 스택 및 패턴 EUV 마스크에는 ML 위에 흡수체 스택이라고 하는 2중 또는 3중 필름이 필요합니다. 흡수체 패턴 형상에 의한 그림자 효과를 최소화하려면 흡수체 스택을 더 얇게 만드는 것이 좋겠죠? 필요한 경우 흡수체 스택에 Phase shift 레이어와 ARC를 추가하기도 합니다. 흡수층 흡수층은 높은 EUV 흡수, EUV 방사 하에서의 안정성, 전도성, 캡핑층에 대한 높은 식각 선택성(버퍼는 더 이상 사용되지 않으며 적어도 널리 사용되지는 않음) 등 여러 특성을 나타내야 광학 표면 결함 검사를 수행할 수 있습니다. 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 화합물을 포함한 여러 후보 물질이 전통적으로 제안되었는데... 그중에서도 Ta 기반 물질이 널리 연구되고 있습니다. (Soft) X-Ra..

이 글을 쓰기까지 ML에 대한 글 2개를 작성했군요. 이전에는 포괄적인 ML이라면, (사실 ML은 거기서 거기지만) 이번 포스팅에서는 Mask ML에 대해서 집중적으로 알아보겠습니다. ML 증착 공정 이제는 다들 아시겠지만 EUV 파장에서는 모든 재료의 굴절률이 1에 가깝고 투과율과 반사율이 거의 0에 가깝습니다. 따라서 모든 EUVL 광학장치는 반사율이 높아야 하며, 서로 다른 EUV 광학 상수를 가진 여러 개의 재료 층이 교대로 구성된 ML 코팅 미러는 EUV 빛을 간섭하여 높은 반사율을 달성할 수 있는 유일무이한 솔루션입니다. (이 '솔루션'은 마스크 뿐만 아니라 미러에도 적용되죠!, 여튼 다시 돌아와서) 프레넬 방정식에 따르면 경계면에서의 반사율은 굴절률 차이의 제곱에 비례합니다. 일반적으로 ML..

포토 마스크 기술은 반도체 제조 공정에서 EUVL을 성공적으로 구현하기 위한 가장 중요한 문제 중 하나로 꼽힙니다. EUV 빛은 대부분의 소재에 강하게 흡수되기 때문에 마스크 구조를 포함한 모든 광학 부품에 반사 광학이 적용됩니다. 그 결과 다층 미러(MLM)를 기반으로 하는 EUV 마스크 구조는 기존 광학 리소그래피와 근본적으로 다릅니다. 이를 위해서는 나노 단위의 박막 기술이 필요합니다. 13.5nm 파장 빛을 반사하려면 서로 다른 EUV 광학 상수를 보이는 여러 층의 재료가 번갈아 가며 구성된 ML 구조가 필수적입니다. 브래그 반사는 정상에 가장 가까운 입사각에서 EUV 반사를 최대화하기 위해 필요하며, 그 효율은 구조(예: 각 층의 두께 및 비율)와 광학 특성(굴절률 및 소멸 계수)에 의해 결정됩..

Atomic hydrogen cleaning 원래 엄청*(10^10) 예전에 수집기 클리닝은 실제로 수집기를 분리하고 액체 화학 물질로 세척하는 방식으로 수행되었는데요! 신기하죠? 그러나 이 방법은 용납할 수 없을 만큼(칩메이커만 용납못함 사실 흐흐..) 소스 가동 중단 시간을 발생시킵니다. 따라서 최근 몇 년 동안의 연구는 챔버에서 컬렉터를 제거하지 않고 청소하는 방법에 중점을 두었습니다. 이상적으로, 이 방법은 시스템을 환기시키지 않고 EUV 소스를 중단하지 않고 수행할 수 있는 진정한 제자리 세척이 될 것입니다. 가장 널리 연구되고 있는 잠재적 현장 세정 방법은 수소 라디칼을 사용하는 것입니다. Sn이 H 라디칼에 노출되면 반응하여 휘발성 스타난(SnH4)을 형성할 수 있으며, 다음 반응에 따라 펌..