EUV 이미징의 이점 EUVL의 큰 가능성은 광자 기반 기술이므로 하전 입자 한계가 없고 투영 기반 축소 시스템으로 1X 및 접촉 마스크의 문제를 피할 수 있습니다. 이 두 가지 특성은 EUVL이 기존 광학 프로젝션 리소그래피의 연장선상에 있으며, 반세기에 걸친 학습을 활용할 수 있다는 점을 분명히 합니다. 리소그래피 해상도 방정식과 초점심도 방정식은 다음과 같습니다. 1. 해상도는 이미징 파장(l), 수치 조리개(NA), 그리고 Rayleigh 상수(k1)에 의해 결정됩니다. - 예를 들어, k1이 0.5이고 NA가 0.3인 EUV 시스템에서의 반 피치 해상도는 22.5 nm입니다. - 해상도 향상 기술을 적용하면, k1을 0.25까지 낮출 수 있으며 이 경우 해상도는 11.25 nm까지 떨어집니다. ..

EUV 스캐너는 기본적으로 DUV 스캐너 시스템과 동일합니다. 그러나 마스크와 웨이퍼, 센서 시스템 및 스테이지와 같은 기존 모듈은 진공과 호환되도록 만들어야 하죠. EUV 광학계 시스템에서 주요한 광학적 구성 요소는 광원 조명 시스템과 프로젝션 시스템입니다. 광원은 EUV 툴의 필수적인 부분이며, EUV 노광 툴의 마스크는 반사형이므로 마스크의 조명은 비중심적이죠. 입사각은 CRAO라고 합니다. 우측 그림을 통해 알 수 있듯, 주 광선 각도가 조명 필드 내 위치에 따라 달라진다는 것을 보여줍니다. 마스크의 입사각은 마스크 3D 효과에 큰 영향을 미칩니다. 마스크 3D 효과를 완전히 이해하려면 마스크의 모든 입사 각도를 알아야 합니다. 이 효과를 보정하려면 이 입사각을 알아야 합니다. 즉, 조명 모드뿐만..

이전 포스팅에서 기초?를 알아봤으니 이제 본격적으로 EUV 스캐너 설비에 대해 알아봅시다. 우선 유래부터 살펴볼까요? Small-field EUV 리소그래피에서 Soft X ray를 처음 적용한 것은 근접 프린팅이었습니다. 마스크와 관련된 문제를 극복하고 Soft X ray를 DUV 기술의 후속 기술로 자리매김하기 위해 reduction printer의 개발이 필요했죠. 결국 1986년 키노시타 히로오가 첫 개발과 시연에 성공하게 되어 현시대의 EUV scanner 역사를 열었습니다. 그 이후로 이 기술의 잠재력을 입증하고 HVM에 필요한 핵심 구성 요소(거울, 다층 코팅, 마스크, 소스, 레지스트 등)를 개발하기 위해 많은 소Small-field 설비가 개발되었습니다. 1986년 당시에는 파장이 여전히..

EUV 스캐너의 동작원리.. 뭐뭐뭐 설명하기전에 우선 반도체 산업, 특히 포토리소그래피에서 중요하게 여겨지는 두가지를 살펴보겠습니다. 그리고 관련 설명을 이어나가겠습니다. 모두 스캐너에 대한 심화내용을 설명하기 앞서 필요한 사전정리입니다. ^^ 1. 이미징 이미징은 특정 IC 레이어를 정확하게 표현하는 프로세스입니다. 근본적으로 정밀도에 관한 것입니다. 피처가 작을수록 같은 공간에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있으므로 컴퓨팅 성능이 향상되고 전력 사용량이 감소하는 성능 좋은 제품을 만들 수 있죠. 2등제품을 좋아하는 사람은 없죠. 1등만이 살아남는 세상. 그게 바로 반도체입니다. 2. 오버레이 오버레이 측면은 각 후속 레이어를 이전 레이어 위에 최대한 정밀하게 쌓을 수 있는 기능을 말합니다. 여기에는..

그림자 효과 그림자 효과란? EUV Lithography에서 Mask로 입사각, 반사각은 6˚인데 Absorber Pattern은 두꺼우면 안되는데 두꺼워지면 빛이 반사되서 나갈때 그림자가 지는 현상입니다. 빛이 Mask로 들어오고 반사되서 나갈 때 Absorber Pattern이 두껍다면 Absorber Pattern에 맞게 되겠죠?. 그래서 두께가 두꺼워지면 Absorber Pattern에 반사되서 나가야하는 빛이 흡수가 되는 일이 발생합니다. 그래서 Absorber Pattern 옆의 반사가 되어야하는 부분은 반사가 잘 되지 않게 됩니다. 이를 현상을 Shadowing Effect, Mask 3D Effect라고 하는데 Absorber가 얇아져야 이런 현상이 안 생깁니다. 그림자 효과는 비스듬한 조..