13. 실리콘 웨이퍼, Plasma etching
Semiconductor/Plasma2023. 12. 13. 11:5513. 실리콘 웨이퍼, Plasma etching

Dissociation (해리) : 분자를 떼어 놓는 과정 실리콘 제거 과정: 전개: CF₄ 가스가 전자(e⁻)와 충돌하여 CF₃ 라디칼과 F 라디칼을 생성하며, 동시에 전자를 다시 방출함. 이러한 반응은 플라즈마를 형성하는 데 중요한 역할을 함. O₂ 가스가 전자와 충돌하여 두 개의 O 라디칼과 전자를 방출함. 생성된 라디칼들이 표면 반응을 통해 SiO₂를 식각하는 데 사용됨. 예를 들어, Si + F₄ → SiF₄ 반응은 실리콘을 식각하는 데 쓰임.

12. 물질 공정을 제어하는 변수들에 대하여
Semiconductor/Plasma2023. 12. 12. 11:5412. 물질 공정을 제어하는 변수들에 대하여

Kinetic Parameters: 전구체와 희석제, 유량, 펌핑 속도, 압력 등을 포함하며, 플라즈마의 운동학적 특성을 결정함. Electrical Parameters: 전력, 주파수, 전극 기하학 등으로 구성되며, 플라즈마의 전기적 특성을 조절함. 이 두 매개변수 집합은 'Plasma Parameters'로 통합되며, 이는 이온의 에너지, 화학종, 밀도, 온도, 체류 시간 등을 포함함. 이러한 플라즈마 매개변수는 공정 운동학과 기작에 영향을 미치고, 이는 다시 'Processed layer'의 특성에 영향을 줌. 'Plasma Parameters'와 'Surface Parameters'는 플라즈마-표면 상호작용을 통해 상호 연결됨. 'Surface Parameters'는 기판 및 전극의 재료(전도성/..

11. RF Plasma에 대하여
Semiconductor/Plasma2023. 12. 11. 12:5411. RF Plasma에 대하여

DC Capacitive Charge-up Ion이 부도체의 표면에서 자유전자를 흡수하면 전자를 다시 채워주지 못한다. 없어진 전자 때문에 부도체의 표면은(+) 상태가 되고 후속으로 들어오는 Ion(+)을 밀어내게 됨, 즉 Plasma 없어짐 플라즈마 구름은 양의 가스 이온들로 구성되어 있고, 이들이 전기 절연체 표면 위에 전하를 축적함. 절연체는 DC 전압원에 연결되어 있으며, 이를 통해 표면에 전하가 축적되는 것을 나타냄. 이 과정은 절연체 표면의 정전기적 충전을 유발하고, 이는 재료의 표면 속성을 변화시키는 데 기여함. AC Capacitive Discharge (+)반파장 동안 Plasma 운으로부터 전자를 끌어옴. 표면이 “discharge”된다. (자유전자로 다시 채워짐) (-)반파장 동안 I..

10. DC Plasma에 대하여
Semiconductor/Plasma2023. 12. 11. 11:5410. DC Plasma에 대하여

방전 과정 및 Ⅰ-Ⅴ특성 Dark Discharge: 최소 전류에서 시작하여 눈에 띄지 않는 방전 상태를 보여줌. Corona Discharge: 코로나 방전이 시작되는 지점으로 전압 증가에 따라 전류도 증가함. Glow Discharge: 특정 분리 전압에 이르면 발광 방전으로 전환되며, 발광이 시작됨. 'Normal Glow'와 'Abnormal Glow'로 구분됨. Arc Discharge: 높은 전류와 낮은 전압이 특징인 영역으로 강력한 발광과 전류가 특징임. 여기서는 열전자 방출, 비열적 아크, 열적 아크가 발생함. Background Ionization to Saturation Regime: 초기 이온화부터 포화 상태에 이르는 과정을 보여줌. 전류는 전압 증가에 따라 증가하지만 포화 지점에 이..

9. Sheath 내에서 발생하는 현상
Semiconductor/Plasma2023. 12. 10. 11:539. Sheath 내에서 발생하는 현상

이차전자 방출! 이온은 Sheath potential로 부터 에너지를 얻어 가속되어 전극 표면과 충돌하고 전극 표면 물질의 work function보다 큰 에너지를 얻게되면 표면으로 부터 이차전자가 방출된다.

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