Masking Layers : 마스킹 공정은 포토마스크, 소프트마스크, 하드마스크 등 다양한 종류의 마스크를 사용하며, 각각의 단계 또는 리소그래피의 종류에 적합하다. 1. Photomasks 는 일반적으로 광학 리소그래피에 사용되며 웨이퍼 상에 전사될 실제 패턴을 포함한다. 2. Soft masks 는 기판에 도포되고 나중에 원하는 패턴을 드러내기 위해 현상되는 포토레지스트 층을 의미한다. 3. Hard masks 는 더 부드러운 마스크가 가혹한 조건을 견딜 수 없는 에칭 공정에 사용되는 내구성 있는 마스킹 층이다. 1. Photon-based Lithography : 포토마스크를 사용하며 패턴을 전달하기 위해 UV 광을 포함하는 가장 일반적인 형태이다. 2. E-beam Lithography : 전자..

플라즈마 프로세스 방전 단원자 : 비활성기체(예: Ar, Ne, Hg) 가스 분자 : 2원자(H2, O2), 5원자(예: CH4, SiH4, CF4) 내부 에너지 : U 체적 V, 압력 p의 기체 : 열역학적 상태, H=U+pV XY → X + Y : 가열하여 전도에서 전기 경향이지만 다 고정 해리된다.(열해리) H2 → H + H : 2.25 X 2 = 4.5 eV SiH4 → SiH2 + H2 : 2.57 - 0.35 = 2.22 eV(열균열) SiH3 + H → SiH4 : (2.02 + 2.25) - 0.35 = 3.92 eV(열균열) 여기 반응 : e + XY → XY* + e 진동 및 회전 및 포텐셜 에너지를 갖는다. 전자 여기에너지 : 10 eV 전동 및 회전 주위에서 여기 : 0.5 eV ..

비탄성 충돌로 원자의 내부 에너지에 변화가 생긴다. 원자의 첫 번째 최외각 궤도를 도는 전자에 외부에서 다른 전자를 충돌시키는 등 에너지를 부여하면, 전자는 보다 바깥쪽의 궤도로 이동하게 된다. 즉 전자는 원래의 상태보다 큰 에너지를 갖게 되고, 다른 운동을 하게 되는 상태를 전자가 에너지를 얻어 들뜬상태(excited state)에 있다고 하며, 이와 같이 전자나 원자에 에너지를 주는 것을 여(pumping)라 한다. 여기 이전의 에너지가 가장 낮은 전자 상태를 바닥상태(ground state)라 한다. 이온화(전리) 충돌 : 쿨롱힘 안에 갇힌 전자들은 빠져나가서 전자가 충돌을 끊어내는 메커니즘 다른 입자 전자는 엑시토닉 이온 Ne 원자를 예로 하면, Pauli의 배타 원리에 의해 방대한 덩어리 전자가..

NEW EUV LIGHT SOURCE FOR INSPECTION "URASHIMA" Light source requirement for APMI APMI에 적합한 광원을 고려할 때 EUV 펠리클의 열부하 문제는 피할 수 없습니다. EUV 펠리클의 투과율은 꾸준히 향상되고 있지만 열흡수율을 무시할 수 없으며 현재 입력 전력의 제한이 있습니다. 고휘도 조명은 고감도, 고처리량 결함 검사에 기여하지만 과도한 열부하는 펠리클을 손상시키기 때문에 사용할 수 있는 조명의 밝기에 한계가 있습니다. 따라서 검사 성능에 한계가 있습니다. 시야각(FOV)보다 큰 크기의 조명과 FOV에 가까운 크기의 조명의 이미지를 위 표에서 볼수 있는데, 맨 위 행은 펠리클의 강도를 나타내고 맨 아래 행은 마스크의 강도를 나타냅니다. 빨..

n플라즈마 내부에서는 전자(e), 이온(i) 및 중성입자(n)의 3종류 입자들이 서로 충돌하면서 진행 n쿨롱 충돌(하전입자 간의 충돌→쿨롱 힘이 작용) : ① e-i, ② e-e, ③ i-I n역학적 충돌(적어도 하나의 중성입자가 충돌 대상→접촉 순간에만 힘이 작용) : ④ e-n, ⑤ i-n, ⑥ n-n n 단단한 구에 충돌돌하는 단면적적: 거의 입자 크기에 의해 결정 n 이온과 중성입자 (③ i-i, ⑤ i-n, ⑥ n-n) : n 전자와 입자 (① e-i, ④ e-n) : 평균 자유 행로(Mean Free Path) : 충돌에서 다음 충돌까지 이동하는 거리 \( \lambda_{12} = \frac{1}{n_2 \sigma} \) : 입자 2가 산포하고 있다고 가정, 입자 1이 2에 충돌 \( \l..