41. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (3)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 18. 14:4741. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (3)

DIE TO DATABASE INSPECTION FOR CURVILINEAR MASKS Die to database inspection support of ACTIS 앞에서 설명하였듯 ACTIS는 EUV 포토마스크의 D2D와 DDB 검사를 모두 수행하는데, D2D 검사는 동일한 패턴을 가진 두 다이의 영상을 비교하는 반면 DDB 검사는 실제 마스크의 영상을 설계 데이터를 이용하여 시스템의 알고리즘에 의해 생성된 Ref 영상과 비교하며 두 영상의 차이는 검출된 결함을 나타냄을 알고가야합니다. 다시 돌아와서 DDB 검사는 D2D 검사에 비해 민감도가 높습니다. 이는 DDB 검사에 사용되는 Ref 영상이 실제 마스크 패턴 영상에 존재하는 거칠기 정보를 포함하지 않아 높은 신호 대 잡음비(SNR)를 달성할 수 ..

20. 전자 사이클로트론 공명
Semiconductor/Plasma2023. 12. 18. 09:1620. 전자 사이클로트론 공명

전자 사이클로트론 공명 자기장 안에 사이클로트론 운동을 하고 있는 전자에 외부에서 주파수가 \( \omega \)의 고주파 전압을 인가하면 전자는 \( \omega = \omega_c \)일 때 전자가 공명되어 회전 속도로 에너지를 받아 가속되는 현상 → Electron Cyclotron Resonance ; ECR (예를 들어, 방향으로 전자 \( E \sin \omega t \)가 인가되었을 때, 자장 안에서 전자의 방정식을) \( \frac{dv_x}{dt} = -e v_y B - e E \sin \omega t \) \( \frac{dv_y}{dt} = e v_x B \) → \( \frac{d^2 v_x}{dt^2} + \omega_c^2 v_x = - \frac{e E \omega_c}{m} ..

40. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (2)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 17. 14:2840. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (2)

지금도 Node shrinking을 통해 반도체 소자의 성능 향상이 이루어지고 있습니다.패터닝 공정에서 고해상도 EUV 리소그래피가 적용되고 있죠. 마스크 제조 시 각 공정마다 EUV 파장을 사용하는 마스크 계측(Mask Inspection) 및 검사 툴이 필요합니다. 그리고 기판, 반사 다층, 흡수체의 결함을 검출하기 위해 광학 검사 시스템과 EUV Actinic 검사 시스템이 사용되는데.패터닝 후 노광 전 마스크 검증을 위해 D2D 또는 DDB 검사 또한 필요합니다. 그래서 여러 파운드리의 니즈를 반영한 레이저텍의 설비, ACTIS 시리즈가 계속 출시되고 있죠. Actinic 광을 사용하는 EUV 마스크 검사는 다른 파장의 검사보다 노출 시 결함의 영향을 더 정확하게 예측할 수 있는 특징이 있습니다...

19. 하전입자의 운동 (자기장)
Semiconductor/Plasma2023. 12. 17. 14:1519. 하전입자의 운동 (자기장)

자기장이 인가되었을 때 진행하는 입자의 속도 벡터는 자기장에 의해 작용하는 힘에 의해 자기력을 받음. 자장 안에서 하전 입자의 운동 방정식: \( m \frac{d\vec{v}}{dt} = q\vec{v} \times \vec{B} = I \times \vec{B} \) ; 로런츠의 원 운동식 입자가 속도 \( V \)를 지니고 있을 때 그에 대한 전자의 로런츠 힘(자기장력)이 작용하기 때문에 원운동을 함. 사이클로트론 운동, 라모어 운동 운동량 \( \frac{mv^2}{\rho} \) = 전기력 \( -eV_1\vec{B} \), \( v_1 \): 입자의 속도 회전 주파수(사이클로트론 주파수): \( f_c = \frac{\omega_c}{2\pi} = \frac{eB}{2\pi m} \) 회전 반..

18. 하전입자의 운동 (전기장)
Semiconductor/Plasma2023. 12. 17. 11:5618. 하전입자의 운동 (전기장)

직류(DC) 방전에서 전자에 관련된 경우 Drift 운동 : 플라즈마 안에서 흐르는 평균자유행로의 길이에 의해, 이온은 전자보다 훨씬 큰 자유행로를 가짐(예시, 토머스) 또는 충돌하여 전자가 손실되어 이동할 수 있는 것 \( \frac{d\vec{v}}{dt} = \frac{q\vec{E}}{m}; \) Newton 운동방정식 \( \frac{d\vec{v}}{dt} = \frac{q\vec{E}}{m} - \nu\vec{v}; \) Langevin 방정식(이온이 대기 중에 마찰력을 겪음) \( \nu \): 충돌주파수 (이온이 중성 입자와 대기 사이에 충돌을 하게 됨) \( v_D = \frac{qE}{m\nu}; \) Drift속도(평균자유행로의 수학 이동속도) 시간에 따라 변하지 않는 경우 : 편이..

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