39. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (1)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 17. 10:4639. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (1)

레이저텍은 2019년에 Actinic Patterned Mask Inspection (APMI) 시스템, ACTIS를 2019년에 출시했으며, 현재까지 EUV용 Actinic 검사 솔루션 지속적으로 제공하고 있죠. ACTIS는 EUV 포토마스크의 고해상도, 고처리량 검사에 주로 사용되는데, EUV 파장을 광원으로 사용하기 때문에 모든 EUV 마스크 결함을 검출할 수 있는 능력은 가지고 있죠. 당연하지만 EUV 광을 가지고 검사한다는게 정말 쉬운 일은 아닙니다. EUV 소스의 종류는 다양하고, 사양도 다르고 그 특성도 다 다릅니다. 상업화된 광원을 가져온다는것도 쉽지않고 그 광원을 독자 설비에 적용하는건 더더욱 어렵거든요. 다시 돌아와서, Actinic Inspection는 일반적으로 위상 결함을 검출하는..

17. 플라즈마의  기초방정식
Semiconductor/Plasma2023. 12. 16. 11:5617. 플라즈마의 기초방정식

\( m \frac{d \vec{v}}{dt} = \vec{F} = q (\vec{E} + \vec{v} \times \vec{B}) \) ; Lorentz Force \( \nabla \times \vec{E} = - \frac{\partial \vec{B}}{\partial t} \) ; Maxwell 방정식 \( \nabla \times \vec{H} = \vec{J} + \frac{\partial \vec{D}}{\partial t} \) \( \nabla \cdot \vec{B} = 0 \) \( \nabla \cdot \vec{D} = \rho \) \( \nabla \cdot \vec{J} + \frac{\partial \rho}{\partial t} = 0 \) ; 전류의 연속방정식 \( ..

16. 플라즈마의 기준
Semiconductor/Plasma2023. 12. 15. 12:5516. 플라즈마의 기준

플라즈마 안에서 충돌주파수와 이온의 부유이동성의 관계 \( \frac{1}{\omega_p} (\approx t_D) = \left(\frac{4 \pi n_e e^2}{m_e}\right)^{-\frac{1}{2}} < 1 \) \( \omega_p \): 플라즈마 각주파수 = \( 5.6 \times 10^4 \sqrt{n_e} \) [Hz] \( t_D = \frac{v_{Te}}{\lambda_{De}}, \lambda_{De} = \left(\frac{4 \pi n_e e^2}{k_B T_e}\right)^{-\frac{1}{2}} \approx 690 \sqrt{\frac{T_e}{n_e}} \) [cm] 전자의 확산속도 \( v_{Te} \approx \left(\frac{3 T_e}{m_e..

15. Plasma 식각의 종류
Semiconductor/Plasma2023. 12. 15. 11:5515. Plasma 식각의 종류

(a) '등방 식각'은 마스크를 통해 특정 영역에만 식각 공정이 일어나도록 하여 필름 위에 패턴을 만드는 과정입니다. 여기서 \( d_e \)는 식각 깊이를, \( l_u \)는 마스크의 개방 부분의 크기를 나타냄. (b) '경사진 식각'은 식각이 경사진 형태로 진행되어 필름이 경사진 벽을 가지는 패턴을 만듭니다. 이는 마스크의 가장자리에서 식각 속도가 다르기 때문에 발생함. (c) '수직벽 식각'은 식각이 거의 수직으로 진행되어 필름의 벽이 수직에 가깝습니다. 이 유형의 식각은 고해상도 패터닝에 유리하며, 세밀한 구조를 만들 때 주로 사용됨. Plasma 식각에서 일어나는 과정들 (a) 스퍼터링 (이방성 식각) (b) 화학적 휘발화 (등방성 식각) (c) 이온증진 화학작용 (물리 • 화학 과정을 결합)..

14. MERIE(Magnetically enhanced reactive ion etching)
Semiconductor/Plasma2023. 12. 14. 11:5514. MERIE(Magnetically enhanced reactive ion etching)

13.56MHz의 주파수에 의해 plasma 발생. Chmaber 주변에 전자석으로 자장을 건다. Substrate를 약 0.5Hz의 낮은 속도로 회전을 하여 균일도를 향상한다. 낮은 이온 에너지의 높은 flux를 가지므로 processing rate가 증가하고 substrate에 손상이 적다. ExB drift를 이용하여 효율적으로 플라즈마를 가둠

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