3. Plasma의 특성 및 종류
Semiconductor/Plasma2023. 12. 3. 16:573. Plasma의 특성 및 종류

속박되지 않은 전자와 이온이 존재하는 상태에서 전기장을 가하면 전류가 흐릅니다. 이는 전자와 이온이 자유롭게 움직일 수 있기 때문입니다. 플라즈마의 전기 전도도는 고체와 달리, 온도가 증가함에 따라 더 높아집니다. 예를 들어, 온도가 1,000만 도 이상일 때는 구리와 같은 수준의 전기전도도를 가질 수 있습니다. 자기장 중에 전류를 흘리면, 플라즈마는 자기장 방향과 직각으로 원운동을 하게 되고, 이를 통해 플라즈마를 한쪽으로 고정시킬 수 있습니다(트랩). 플라즈마를 원하는 곳에 집중시키면 플라즈마의 밀도가 높아지고, 이에 따라 전기 저항이 낮아집니다. 그 결과, 전압을 높이지 않고도 높은 밀도의 플라즈마를 생성할 수 있습니다. 이 상태에서는 분자나 원자를 여기시키거나 전리시킬 수 있습니다. 플라즈마의 사..

2. Plasma의 생성에 대하여
Semiconductor/Plasma2023. 12. 3. 16:452. Plasma의 생성에 대하여

Plasma의 생성 Plasma 내에서 전자는 충돌과정을 통하여 원자나 분자에 에너지를 전달 탄성 충돌에서 에너지 전송: \( W_T = \frac{M}{2m_e} \approx 40,000 \text{ W} \) (전자와 아르곤 원자의 질량을 에너지 전송으로 나타낸다) 비탄성 충돌의 경우: \( W_T = \frac{m_e}{M} + M \) (전자는 대부분 에너지를 무거운 아르곤에 전달) 전기장에서 이에 가속 된 전자 에너지는 충돌시 아르곤과의 충돌로부터 Plasma로 전달되며 이렇게 해서 Plasma는 유지된다. Electron과 Atom의 충돌모형 (1) 반발 운동에너지의 부족으로 자유전자가 원자의 내부로 침투하지 못하고 튀겨 나옴. Electron과 Atom의 충돌모형 (2) 발광 자유전자가 원..

1. Plasma의 정의에 대하여
Semiconductor/Plasma2023. 12. 3. 16:391. Plasma의 정의에 대하여

19세기: 생물학과 의학에서 '플라즈마' 사용, 원형질 및 혈장, 림프액을 지칭. 1985년 Faraday: 방전관 내 전리 기체의 독특한 특성 발견, 안정된 플라즈마 상태 확인. 1879년 Crooks: 방전 기체를 "제 4의 물질 상태"로 명명, 새로운 상태 강조. 1928년 Langmuir: 진공 방전에서 전자와 이온이 중성인 균일한 플라즈마 상태 발견. 1929년 플라즈마 진동 발견. 플라즈마(Plasma)란 ? 원자가 전자기장 및 입자와의 충돌 등에 의해 전하를 띠는 양이온과 전자들이 분리되어 있는 집단을 플라즈마(Plasma) 물질의 에너지 = 탄성에너지(전자기적 결합에너지) + 운동에너지(열에너지) 상전이는 운동에너지(열에너지)가 탄성에너지보다 큰 경우 발생함. • 고체 : C.M. 이 공간..

38. EUV 파장은 왜 13.5 nm 인가요?
Semiconductor/EUV lithography2023. 11. 4. 11:3838. EUV 파장은 왜 13.5 nm 인가요?

EUV가 도대체 뭐죠? EUV는 무엇이고?, EUV 파장은 왜 13.5 nm 인가요? 우선 EUV가 무엇인지부터 간단히 짚고 넘어갑시다!. 우선 EUV는 극 자외선을 의미합니다. 약 13.5 nm의 파장의 빛이며, 일반적인 자연 상태에서는 존재하지 않습니다. 인공적으로만 만들어질 수 있으며 고 에너지로써 공기에서도 흡수가 활발히 일어나기에 이를 사용하기 위해서 진공 환경은 필수적입니다. 13.5 nm 파장의 중요성 이전 포스팅에서도 설명했던 무어의 법칙이 지속되기 위해서는 반도체의 성능이 당연히 향상되어야겠죠? 반도체의 성능은 속도, 전력효율 등 여러가지 요인이 작용합니다. 이러한 성능향상 요인중에 가장 빠르게 작용하는 것이 회로의 선폭입니다. 칩의 회로를 리소그래피 공정으로 그릴 때, 빛의 파장이 작으..

37. EUV 이미징의 이점
Semiconductor/EUV lithography2023. 11. 3. 13:3137. EUV 이미징의 이점

EUV 이미징의 이점 EUVL의 큰 가능성은 광자 기반 기술이므로 하전 입자 한계가 없고 투영 기반 축소 시스템으로 1X 및 접촉 마스크의 문제를 피할 수 있습니다. 이 두 가지 특성은 EUVL이 기존 광학 프로젝션 리소그래피의 연장선상에 있으며, 반세기에 걸친 학습을 활용할 수 있다는 점을 분명히 합니다. 리소그래피 해상도 방정식과 초점심도 방정식은 다음과 같습니다. 1. 해상도는 이미징 파장(l), 수치 조리개(NA), 그리고 Rayleigh 상수(k1)에 의해 결정됩니다. - 예를 들어, k1이 0.5이고 NA가 0.3인 EUV 시스템에서의 반 피치 해상도는 22.5 nm입니다. - 해상도 향상 기술을 적용하면, k1을 0.25까지 낮출 수 있으며 이 경우 해상도는 11.25 nm까지 떨어집니다. ..

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