오늘은 ML부터 이야기를 해볼까합니다. 시작하겠습니다. 13.5 nm의 반사 광학에 기반한 EUVL 기술은 현재 Mo/Si 반사 코팅을 EUV 반사기로 사용하여 개발되고 있습니다. Mo/Si MLM은 다른 분광학 애플리케이션에도 사용되었습니다. Mo/Si MLM은 일반적으로 Mo와 Si 층이 교대로 주기적으로 쌓이는 스택으로 증착됩니다. 개별 층을 통한 반사가 작음에도 불구하고 MLM의 모든 인터페이스에서 371개의 반사가 서로 간섭하여 13.5 ± 0.2 파장에서 70%에 가까운 총 반사율을 생성할 수 있습니다. 이러한 간섭 기반 미러에서 가장 높은 반사율을 얻으려면 이중층 주기를 특정 파장에 맞춰 조정해야 합니다. EUV 범위에서 거의 정상 입사 반사율을 얻으려면 이중층 주기가 약 6.9nm가 되어야..

이전 포스팅에서 기초만 다루었죠? 이제 심도깊게 살펴보겠습니다. [심화] 오염이 되는 과정 이온화된 EUV 소스는 대기와 상호 작용하여 미량의 수증기 또는 유기 분자가 있는 상태에서 광학 표면을 오염시킵니다. 유기 분자가 광학 표면에 흡착될 때, 고에너지 방사선 또는 소스가 방출하는 2차 전자에 의해 균열될 수 있습니다. 이러한 작용은 표면을 오염시키는 탄소 피막의 형성으로 이어집니다. 또한 흡착된 물 분자는 광학 표면 자체를 공격하는 강력한 산화제로 작용합니다. 그러나 이 두 공정은 유기 분자 또는 탄소 오버레이의 존재가 산화를 감소시키거나 탄소 오버레이의 에칭을 초래할 수 있는 반작용 효과를 가질 수 있습니다. 소스 오염에 의한 광학 탄화 및 산화 문제는 최초로 싱크로트론 실험에서 관찰되었습니다. E..

EUV(극자외선) 스캐너의 성능을 이해하는 데 있어 광학 오염 문제는 이제 극복해야 할 핵심 과제였습니다. 결국 해냈?..죠 오염을 저감시키려는 수 많은 노력과 성과는 20년 이상의 노력이 뒷받침된 결과였습니다. 이번 포스팅에서는 포토공정의 성능을 좌지우지하는 EUV 오염, EUV Contamination에 대해서 알아보겠습니다. 이전에 작성한 오염에 관한 EUV 역사 포스팅이있었는데 내용이 일부 빈약해서 업로드 하지 않았습니다. 이번 포스팅을 통해서 기본기도 다루면서 심화된 내용도 함께 다루겠습니다. 먼저 기초입니다! 이번 포스팅은 시리즈는 약간 깁니다! [기초] EUV 오염에 대해서 EUV 오염 원인은 주석입니다. 엥 이게 무슨 소리냐고요? 주석 때문에 LPP로 EUV 광원을 발진 시킬 수 있었는데 ..

Airial Image Measurement System (AIMS) 안녕하세요. 오늘은 Zeiss의 AIMS EUV 설비에 대해서 포스팅해보려 합니다. 우선 AIMS가 무슨 설비인지 알아야겠죠? 아시는분도 계시리라 믿지만 혹시 모르시는분을 위해서 간단히 설명하자면... AIMS는 반도체 포토공정, 포토리소그래피 공정에서 사용되는 포토마스크의 결함유무를, 패턴에 대한 형상정보를 파악하기 위한 현미경이라고 생각하시면됩니다. 자 제가 생각하기에 빛은 연봉입니다. 똑같은 연봉이라도 사람마다 느끼는게 다 다르거든요... ? ^^,, 빛도 똑같습니다. 빛도 가지각색인데 동일한 사이즈의 형상이나 패턴이라도 빛마다 느끼는 패턴의 형상이나 성능이 다 다릅니다. 즉 EUV 마스크를 평가하려면 EUV 빛으로 검사해야합니다..

코팅의 역할 리소그래피 시스템에서 코팅은 단순한 심미적 또는 보호적 층이 아닙니다. EUV HR coating은 반사 및 투과 성능에 중요한 역할을 하므로 이러한 시스템의 전체 성능에 직접적인 영향을 미칩니다. 193 nm 파장에서 작동하는 DUV 리소그래피 시스템은 렌즈 요소를 통해 빛을 전달하는 투과 광학을 사용합니다. DUV 시스템의 코팅되지 않은 렌즈는 약 92%의 투과율을 가집니다. 나머지 8%는 렌즈의 앞면과 뒷면에 반사됩니다. 특수 설계된 반사 방지 코팅(AR 코팅)을 적용하면 이러한 반사율을 거의 0으로 줄일 수 있으므로 시스템의 효율성이 향상됩니다. EUV 시스템의 반사 광학 필요성 EUV 리소그래피 시스템의 경우 13.5nm의 훨씬 짧은 파장 때문에 상황이 다릅니다. 일단 여기에는 투과..