이전 글에서도 설명 한 것 처럼.. EUV 광원을 사용하는 반도체 제조 영역에서 LPP (레이저 생산 플라즈마) 소스 시스템은 극자외선(EUV) 리소그래피(EUV lithography)에 매우 중요합니다. 사실상 EUV 원리 설명에 가깝죠. 위 시스템을 통해 EUV 출력 스케일링을 크게 개선했습니다. 무엇보다 더 높은 EUV 출력 수준은 반도체 산업에서 대량 생산(HVM)의 요구 사항을 충족하기에, 매우 중요합니다. 이번 포스팅에서는 일반적인 LPP 소스 시스템에서 시스템 구성의 복잡성에 대해 자세히 설명하고자 합니다. 이전 포스팅보다 심화된 내용이니 참고하세요~ 또한 더 높은 EUV 출력 수준을 달성하기 위해 사용되는 다양한 발전 및 출력 스케일링 기술을 알아봅시다! (사실상 EUV 노광장비 원리 중 ..

Laser-produced plasma light sources are especially powerful, precise, and controllable. Courtesy of Adlyte Inc. EUV 광원 개발을 위해 싱크로트론 방사의 대안으로 고려된 것은 바로 LPP, 레이저 생성 플라즈마입니다. LPP는 고강도 레이저 빔이 플라즈마를 생성하기 위해 주로 금속인 대상 물질에 초점을 맞추는 일종의 플라즈마 소스입니다. 플라즈마 내의 높은 온도와 압력은 EUV 빛을 포함한 빛의 방출로 이어집니다. EUV 광원 생산에 LPP를 사용하면 몇 가지 이점이 있습니다. 가장 큰 장점은 소형의 상대적으로 저렴한 장비를 사용하여 LPP를 생성할 수 있어 이 기술을 상용 응용 프로그램에 보다 쉽게 접근할 수 있다..

여러번 더 강조해도 모자르지만... EUV 광원 개발 여정의 핵심은 기술력 향상입니다. 스마트폰에서 슈퍼컴퓨터에 이르기까지 실리콘 칩은 현대 디지털 장치의 기반입니다. 더 작고 더 정밀한 회로를 만드는 능력은 더 강력하고 효율적인 장치로 직접 변환됩니다. 따라서 EUV 광원 기술은 곧 더 작은 트랜지스터 생산과 직결되어있으며 디지털 미래의 최전선에 있으며 성공적인 개발은 기술 발전에 매우 중요합니다. EUV 광원 개발을 위한 초기 노력은 주로 싱크로트론 방사를 활용하는 데 중점을 두었습니다. 낮은 변환 효율과 광범위한 잔해 완화의 필요성에도 불구하고, 이러한 소스는 EUVL의 중요한 부분이었습니다. 고려된 주요 요인은 필요한 출, 평균 전력 요구량 및 이러한 소스를 다른 EUV 애플리케이션에서 사용할 수..

이전 포스팅에서 다층 고반사 박막을 알아보았고, 이번 포스팅에서는 EUV를 비롯 포토리소그래피에서 가장 중요한 파트 중 하나를 맡고 있는 포토레지스트, 즉 EUV 포토레지스트에 대해 간략히 소개하고자 합니다. EUV 포토레지스트의 개발은 수십 년 동안 진행되어 온 길고 긴 여정입니다. 고해상도 반도체 장치에 대한 요구는 EUV 리소그래피의 개발을 주도했으며, 이는 EUV 빛에 민감한 특수 레지스트 개발을 필요로 했습니다. 이러한 레지스트는 날이 갈수록 점점 더 작아지고 복잡해지는 반도체 장치에 복잡한 패턴을 생성하는 데 중요한 역할을 합니다. 이번 포스팅에서 반도체 제조의 리소그래피 공정 중에 EUV 빛에 적절하게 반응하는 포토폴리머 또는 레지스트의 개발의 주요 이정표, 성과, 과제 및 향후 전망을 포괄..

이번 포스팅에서는 미러의 제조 방법과 개발 역사에 이어 미러에 적용되는 EUV 전용 고반사 다층박막에 대해 소개하고자 합니다. 먼저 EUV에 대해 간략하게 설명하자면...(다들 아시겠지만)EUVL은 자외선 범위에서 매우 짧은 파장의 빛을 사용하여 실리콘 웨이퍼에 패턴을 그리는 것을 말합니다. 쉽게 말해 웨이퍼라는 도화지 위해 그림 그리는 것이라고 생각해주세요 EUVL은 매우 짧은 자외선 파장을 사용하여 실리콘 웨이퍼에 복잡한 패턴을 생성합니다. 참고로 짧은 파장을 이용하여 패턴을 형성할 경우 더 세밀한 패턴을 제작할 수 있고 반도체의 성능은 더 좋아집니다! 그러나 EUVL의 가장 큰 난제는 빛의 흡수에 있으며, 광의 전달이 가장 큰 고민거리였습니다. 결국 반사광학계의 차용을 통해서 EUV 광을 전달 할 ..