21. EUV Flare와 Straylight에 대하여 (2)
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 18. 11:5921. EUV Flare와 Straylight에 대하여 (2)

isotropic surface PSD 하지만 이게 최선의 방법일까요? 미광과 그 특성은 등방성 2D PSD에 의존합니다.이중 로그 플롯을 볼 때 다양한 공간 파장에 걸친 표면 거칠기는 식별하기가 쉽지 않습니다. PSD 곡선을 비교하여 거칠기의 차이를 식별할 수 있지만, 이러한 차이를 정량화하는 것은 정말 어려운 일이 될 수 있습니다. 그렇다면, 우리는 이 문제를 어떻게 해결해야 할까요?한 가지 방법은 공간 파장의 다른 간격에 대한 RMS(근 평균 제곱) 값을 평가하는 것입니다.이러한 RMS 값은 공간 파장에 걸쳐 계산할 때 표면 거칠기 품질의 정량화 가능한 측정값을 제공합니다.그리고 이러한 공간 파장에서 미광의 진행을 특성화하기 위해 TIS 공식을 사용하여 Total Integrated Scatter(..

20. EUV Flare와 Straylight에 대하여 (1)
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 17. 11:5720. EUV Flare와 Straylight에 대하여 (1)

[간단] EUV Flare와 stray light 입사 광선이 반사 방향 외에 여러 방향으로 산란된다. 산란광에 의해 발생하는 플레어로 인해 웨이퍼 표면에 수 나노미터의 크기 변화가 발생할 수 있다. EUV 시스템의 플레어는 거울의 표면 거칠기 때문에 발생한다. 플레어가 EUV 시스템에 문제가 되는 이유는 두 가지입니다. 첫째, 산란이 파장의 제곱에 반비례하기 때문에 현재 사용되는 DUV 시스템에서보다 13.5 nm EUV에서 더 두드러진다. 둘째, 반사 때문에 빛이 인터페이스를 왕복 운동한다. 산란은 파워 스펙트럼 밀도(PSD)라는 통계 신호 처리 기능으로 잡을 수 있습니다. 플레어 PSF는 점광원(Point Source)의 플레어 반응이다. 이는 커크 테스트(Kirk Test) 패턴 또는 광학계에서 ..

19. EUV Projection Optics에 대하여
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 16. 11:5419. EUV Projection Optics에 대하여

EUV Projection, EUV 투영 광학은 광학 리소그래피 시스템에서 필수적인 구성 요소입니다. 이 광학계는 복잡한 패턴을 웨이퍼에 고정밀로 투사하는 역할을 합니다.이번 포스팅에서 투영 광학과 관련된 핵심 기술을 알아보고... 미러 표면, 미러 계측 및 다층 코팅 제조의 기본적인 측면에 대한 간략한 설명을 알아봅시다! Basic design specifications 효과적인 광학 리소그래피 공정을 위해 웨이퍼에 노출될 필드의 표준화된 모양은 스캔 후 26mm x 33mm의 직사각형 영역입니다. MAG(Magnification)는 X4배율로 설정되어 최종적으로는 104mm x 132mm의 필드가 생성됩니다.이 구성을 사용하면 필드를 6인치 마스크에 완벽하게 맞을 수 있습니다. 스캔 과정에서 전체 너..

18. EUV Illumination에 대하여
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 15. 11:5118. EUV Illumination에 대하여

결론: Critical illumination과 Köhler의 차이점은 Critical 조명은 마스크에 직접 광원을 투영하는 반면, Köhler 조명은 광원을 pupil에 입사시켜 광원 강도 변동으로부터 빛 분포를 분리한다! 이전 포스팅에 이어 EUV 광학계를 구성하는 또 다른 광학 모듈인 조명계를 이번 포스팅을 통해 간단하게 알아보려합니다. 모든 이미징 시스템의 중요한 부분인 광학 모듈은 선명하고 상세한 이미지를 만드는 데 도움이 되는 방식으로 빛을 전달하는 역할을 합니다. 이러한 모듈은 종종 거울, 렌즈 및 기타 광학 요소의 복잡한 배열로 구성되며 각각은 시스템의 전체 기능에서 특정한 역할을 합니다.그중에서 조명, 특히 EUV Illuminator 는 사전 정의된 조사 각도에서 마스크를 균일하게 비추..

17. EUV Collector에 대하여
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 14. 11:3017. EUV Collector에 대하여

EUV 스캐너는 거울, 렌즈 및 센서의 복잡한 시스템을 사용하여 극자외선을 실리콘 웨이퍼에 직접 집중시키는 설비입니다. 이 설비를 통해서 패턴을 웨이퍼에 여러 번 노광하여 원하는 회로를 레이어별로 구축하는 작업을 진행합니다. 이렇게 중요한 임무를 지니고 있는 EUV 스캐너의 정밀도와 정확도는 복잡한 디자인과 고성능을 갖춘 반도체를 성공적으로 제조하는 데 매우 중요합니다. 여러가지 전기, 전자, 광학 등의 모듈이 있지만 이번 포스팅에서는 광학 모듈 중 핵심인 EUV Collector에 대해서 알아 보겠습니다. 콜렉터가 무엇인지 설명하기전에 EUV 스캐너에서 작동하는 광원의 속성을 우선 알 필요가 있습니다! EUV 스캐너의 핵심은 리소그래피 공정에 필요한 EUV 광을 생성하는 플라즈마 소스에 있고 플라즈마를..

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