14. MERIE(Magnetically enhanced reactive ion etching)Semiconductor/Plasma2023. 12. 14. 11:55
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13.56MHz의 주파수에 의해 plasma 발생.
Chmaber 주변에 전자석으로 자장을 건다.
Substrate를 약 0.5Hz의 낮은 속도로 회전을 하여 균일도를 향상한다.
낮은 이온 에너지의 높은 flux를 가지므로 processing rate가 증가하고 substrate에 손상이 적다.
ExB drift를 이용하여 효율적으로 플라즈마를 가둠
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