13. 실리콘 웨이퍼, Plasma etching

 

 

 

Dissociation (해리) : 분자를 떼어 놓는 과정

 

 

실리콘 제거 과정: 

 

전개: 

 

CF₄ 가스가 전자(e⁻)와 충돌하여 CF₃ 라디칼과 F 라디칼을 생성하며, 동시에 전자를 다시 방출함. 이러한 반응은 플라즈마를 형성하는 데 중요한 역할을 함.

O₂ 가스가 전자와 충돌하여 두 개의 O 라디칼과 전자를 방출함.

생성된 라디칼들이 표면 반응을 통해 SiO₂를 식각하는 데 사용됨.

 

예를 들어, Si + F₄ → SiF₄ 반응은 실리콘을 식각하는 데 쓰임.