(a) '등방 식각'은 마스크를 통해 특정 영역에만 식각 공정이 일어나도록 하여 필름 위에 패턴을 만드는 과정입니다. 여기서 \( d_e \)는 식각 깊이를, \( l_u \)는 마스크의 개방 부분의 크기를 나타냄. (b) '경사진 식각'은 식각이 경사진 형태로 진행되어 필름이 경사진 벽을 가지는 패턴을 만듭니다. 이는 마스크의 가장자리에서 식각 속도가 다르기 때문에 발생함. (c) '수직벽 식각'은 식각이 거의 수직으로 진행되어 필름의 벽이 수직에 가깝습니다. 이 유형의 식각은 고해상도 패터닝에 유리하며, 세밀한 구조를 만들 때 주로 사용됨. Plasma 식각에서 일어나는 과정들 (a) 스퍼터링 (이방성 식각) (b) 화학적 휘발화 (등방성 식각) (c) 이온증진 화학작용 (물리 • 화학 과정을 결합)..

13.56MHz의 주파수에 의해 plasma 발생. Chmaber 주변에 전자석으로 자장을 건다. Substrate를 약 0.5Hz의 낮은 속도로 회전을 하여 균일도를 향상한다. 낮은 이온 에너지의 높은 flux를 가지므로 processing rate가 증가하고 substrate에 손상이 적다. ExB drift를 이용하여 효율적으로 플라즈마를 가둠

Dissociation (해리) : 분자를 떼어 놓는 과정 실리콘 제거 과정: 전개: CF₄ 가스가 전자(e⁻)와 충돌하여 CF₃ 라디칼과 F 라디칼을 생성하며, 동시에 전자를 다시 방출함. 이러한 반응은 플라즈마를 형성하는 데 중요한 역할을 함. O₂ 가스가 전자와 충돌하여 두 개의 O 라디칼과 전자를 방출함. 생성된 라디칼들이 표면 반응을 통해 SiO₂를 식각하는 데 사용됨. 예를 들어, Si + F₄ → SiF₄ 반응은 실리콘을 식각하는 데 쓰임.

Kinetic Parameters: 전구체와 희석제, 유량, 펌핑 속도, 압력 등을 포함하며, 플라즈마의 운동학적 특성을 결정함. Electrical Parameters: 전력, 주파수, 전극 기하학 등으로 구성되며, 플라즈마의 전기적 특성을 조절함. 이 두 매개변수 집합은 'Plasma Parameters'로 통합되며, 이는 이온의 에너지, 화학종, 밀도, 온도, 체류 시간 등을 포함함. 이러한 플라즈마 매개변수는 공정 운동학과 기작에 영향을 미치고, 이는 다시 'Processed layer'의 특성에 영향을 줌. 'Plasma Parameters'와 'Surface Parameters'는 플라즈마-표면 상호작용을 통해 상호 연결됨. 'Surface Parameters'는 기판 및 전극의 재료(전도성/..

DC Capacitive Charge-up Ion이 부도체의 표면에서 자유전자를 흡수하면 전자를 다시 채워주지 못한다. 없어진 전자 때문에 부도체의 표면은(+) 상태가 되고 후속으로 들어오는 Ion(+)을 밀어내게 됨, 즉 Plasma 없어짐 플라즈마 구름은 양의 가스 이온들로 구성되어 있고, 이들이 전기 절연체 표면 위에 전하를 축적함. 절연체는 DC 전압원에 연결되어 있으며, 이를 통해 표면에 전하가 축적되는 것을 나타냄. 이 과정은 절연체 표면의 정전기적 충전을 유발하고, 이는 재료의 표면 속성을 변화시키는 데 기여함. AC Capacitive Discharge (+)반파장 동안 Plasma 운으로부터 전자를 끌어옴. 표면이 “discharge”된다. (자유전자로 다시 채워짐) (-)반파장 동안 I..