42. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (4)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 19. 15:1542. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (4)

NEW EUV LIGHT SOURCE FOR INSPECTION "URASHIMA" Light source requirement for APMI APMI에 적합한 광원을 고려할 때 EUV 펠리클의 열부하 문제는 피할 수 없습니다. EUV 펠리클의 투과율은 꾸준히 향상되고 있지만 열흡수율을 무시할 수 없으며 현재 입력 전력의 제한이 있습니다. 고휘도 조명은 고감도, 고처리량 결함 검사에 기여하지만 과도한 열부하는 펠리클을 손상시키기 때문에 사용할 수 있는 조명의 밝기에 한계가 있습니다. 따라서 검사 성능에 한계가 있습니다. 시야각(FOV)보다 큰 크기의 조명과 FOV에 가까운 크기의 조명의 이미지를 위 표에서 볼수 있는데, 맨 위 행은 펠리클의 강도를 나타내고 맨 아래 행은 마스크의 강도를 나타냅니다. 빨..

21. Plasma 충돌 현상
Semiconductor/Plasma2023. 12. 18. 21:4721. Plasma 충돌 현상

n플라즈마 내부에서는 전자(e), 이온(i) 및 중성입자(n)의 3종류 입자들이 서로 충돌하면서 진행 n쿨롱 충돌(하전입자 간의 충돌→쿨롱 힘이 작용) : ① e-i, ② e-e, ③ i-I n역학적 충돌(적어도 하나의 중성입자가 충돌 대상→접촉 순간에만 힘이 작용) : ④ e-n, ⑤ i-n, ⑥ n-n n 단단한 구에 충돌돌하는 단면적적: 거의 입자 크기에 의해 결정 n 이온과 중성입자 (③ i-i, ⑤ i-n, ⑥ n-n) : n 전자와 입자 (① e-i, ④ e-n) : 평균 자유 행로(Mean Free Path) : 충돌에서 다음 충돌까지 이동하는 거리 \( \lambda_{12} = \frac{1}{n_2 \sigma} \) : 입자 2가 산포하고 있다고 가정, 입자 1이 2에 충돌 \( \l..

41. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (3)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 18. 14:4741. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (3)

DIE TO DATABASE INSPECTION FOR CURVILINEAR MASKS Die to database inspection support of ACTIS 앞에서 설명하였듯 ACTIS는 EUV 포토마스크의 D2D와 DDB 검사를 모두 수행하는데, D2D 검사는 동일한 패턴을 가진 두 다이의 영상을 비교하는 반면 DDB 검사는 실제 마스크의 영상을 설계 데이터를 이용하여 시스템의 알고리즘에 의해 생성된 Ref 영상과 비교하며 두 영상의 차이는 검출된 결함을 나타냄을 알고가야합니다. 다시 돌아와서 DDB 검사는 D2D 검사에 비해 민감도가 높습니다. 이는 DDB 검사에 사용되는 Ref 영상이 실제 마스크 패턴 영상에 존재하는 거칠기 정보를 포함하지 않아 높은 신호 대 잡음비(SNR)를 달성할 수 ..

20. 전자 사이클로트론 공명
Semiconductor/Plasma2023. 12. 18. 09:1620. 전자 사이클로트론 공명

전자 사이클로트론 공명 자기장 안에 사이클로트론 운동을 하고 있는 전자에 외부에서 주파수가 \( \omega \)의 고주파 전압을 인가하면 전자는 \( \omega = \omega_c \)일 때 전자가 공명되어 회전 속도로 에너지를 받아 가속되는 현상 → Electron Cyclotron Resonance ; ECR (예를 들어, 방향으로 전자 \( E \sin \omega t \)가 인가되었을 때, 자장 안에서 전자의 방정식을) \( \frac{dv_x}{dt} = -e v_y B - e E \sin \omega t \) \( \frac{dv_y}{dt} = e v_x B \) → \( \frac{d^2 v_x}{dt^2} + \omega_c^2 v_x = - \frac{e E \omega_c}{m} ..

40. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (2)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 17. 14:2840. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (2)

지금도 Node shrinking을 통해 반도체 소자의 성능 향상이 이루어지고 있습니다.패터닝 공정에서 고해상도 EUV 리소그래피가 적용되고 있죠. 마스크 제조 시 각 공정마다 EUV 파장을 사용하는 마스크 계측(Mask Inspection) 및 검사 툴이 필요합니다. 그리고 기판, 반사 다층, 흡수체의 결함을 검출하기 위해 광학 검사 시스템과 EUV Actinic 검사 시스템이 사용되는데.패터닝 후 노광 전 마스크 검증을 위해 D2D 또는 DDB 검사 또한 필요합니다. 그래서 여러 파운드리의 니즈를 반영한 레이저텍의 설비, ACTIS 시리즈가 계속 출시되고 있죠. Actinic 광을 사용하는 EUV 마스크 검사는 다른 파장의 검사보다 노출 시 결함의 영향을 더 정확하게 예측할 수 있는 특징이 있습니다...

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