19. 하전입자의 운동 (자기장)
Semiconductor/Plasma2023. 12. 17. 14:1519. 하전입자의 운동 (자기장)

자기장이 인가되었을 때 진행하는 입자의 속도 벡터는 자기장에 의해 작용하는 힘에 의해 자기력을 받음. 자장 안에서 하전 입자의 운동 방정식: \( m \frac{d\vec{v}}{dt} = q\vec{v} \times \vec{B} = I \times \vec{B} \) ; 로런츠의 원 운동식 입자가 속도 \( V \)를 지니고 있을 때 그에 대한 전자의 로런츠 힘(자기장력)이 작용하기 때문에 원운동을 함. 사이클로트론 운동, 라모어 운동 운동량 \( \frac{mv^2}{\rho} \) = 전기력 \( -eV_1\vec{B} \), \( v_1 \): 입자의 속도 회전 주파수(사이클로트론 주파수): \( f_c = \frac{\omega_c}{2\pi} = \frac{eB}{2\pi m} \) 회전 반..

18. 하전입자의 운동 (전기장)
Semiconductor/Plasma2023. 12. 17. 11:5618. 하전입자의 운동 (전기장)

직류(DC) 방전에서 전자에 관련된 경우 Drift 운동 : 플라즈마 안에서 흐르는 평균자유행로의 길이에 의해, 이온은 전자보다 훨씬 큰 자유행로를 가짐(예시, 토머스) 또는 충돌하여 전자가 손실되어 이동할 수 있는 것 \( \frac{d\vec{v}}{dt} = \frac{q\vec{E}}{m}; \) Newton 운동방정식 \( \frac{d\vec{v}}{dt} = \frac{q\vec{E}}{m} - \nu\vec{v}; \) Langevin 방정식(이온이 대기 중에 마찰력을 겪음) \( \nu \): 충돌주파수 (이온이 중성 입자와 대기 사이에 충돌을 하게 됨) \( v_D = \frac{qE}{m\nu}; \) Drift속도(평균자유행로의 수학 이동속도) 시간에 따라 변하지 않는 경우 : 편이..

39. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (1)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 17. 10:4639. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (1)

레이저텍은 2019년에 Actinic Patterned Mask Inspection (APMI) 시스템, ACTIS를 2019년에 출시했으며, 현재까지 EUV용 Actinic 검사 솔루션 지속적으로 제공하고 있죠. ACTIS는 EUV 포토마스크의 고해상도, 고처리량 검사에 주로 사용되는데, EUV 파장을 광원으로 사용하기 때문에 모든 EUV 마스크 결함을 검출할 수 있는 능력은 가지고 있죠. 당연하지만 EUV 광을 가지고 검사한다는게 정말 쉬운 일은 아닙니다. EUV 소스의 종류는 다양하고, 사양도 다르고 그 특성도 다 다릅니다. 상업화된 광원을 가져온다는것도 쉽지않고 그 광원을 독자 설비에 적용하는건 더더욱 어렵거든요. 다시 돌아와서, Actinic Inspection는 일반적으로 위상 결함을 검출하는..

17. 플라즈마의  기초방정식
Semiconductor/Plasma2023. 12. 16. 11:5617. 플라즈마의 기초방정식

\( m \frac{d \vec{v}}{dt} = \vec{F} = q (\vec{E} + \vec{v} \times \vec{B}) \) ; Lorentz Force \( \nabla \times \vec{E} = - \frac{\partial \vec{B}}{\partial t} \) ; Maxwell 방정식 \( \nabla \times \vec{H} = \vec{J} + \frac{\partial \vec{D}}{\partial t} \) \( \nabla \cdot \vec{B} = 0 \) \( \nabla \cdot \vec{D} = \rho \) \( \nabla \cdot \vec{J} + \frac{\partial \rho}{\partial t} = 0 \) ; 전류의 연속방정식 \( ..

16. 플라즈마의 기준
Semiconductor/Plasma2023. 12. 15. 12:5516. 플라즈마의 기준

플라즈마 안에서 충돌주파수와 이온의 부유이동성의 관계 \( \frac{1}{\omega_p} (\approx t_D) = \left(\frac{4 \pi n_e e^2}{m_e}\right)^{-\frac{1}{2}} < 1 \) \( \omega_p \): 플라즈마 각주파수 = \( 5.6 \times 10^4 \sqrt{n_e} \) [Hz] \( t_D = \frac{v_{Te}}{\lambda_{De}}, \lambda_{De} = \left(\frac{4 \pi n_e e^2}{k_B T_e}\right)^{-\frac{1}{2}} \approx 690 \sqrt{\frac{T_e}{n_e}} \) [cm] 전자의 확산속도 \( v_{Te} \approx \left(\frac{3 T_e}{m_e..

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