Aberration 수차는 상을 맺을 때 한 점에서 나온 빛이 광학계를 통한 다음 한 점에 모이지 않고 영상이 빛깔이 있어 보이거나 일그러지는 현상이 나타나는 것을 말하는 것으로 즉, 구면경이나 Lens가 같는 고유한 성질로써 상의 정확한 결상을 방해하는 모든 현상을 말합니다. 수차의 종류는 크게 단색 수치와 색수차로 나뉘고 image가 흐려지는 문제와 상이 왜곡되는 image 찌그러짐 문제로 나뉩니다. 수차의 종류 수차의 영향성 1) Spherical Abberation(구면수차) : Lens의 서로 다른 부분을 통과하는 광선들이 광축선상에서 다른 점에 상을 형성.(Best Focus 차이) 2) Comatic Aberration(코마수차) : 비축물점에서 나온 광이 Lens의 다른부분을 통과하여 Im..

바쁜 현대인을 위한 결론: 1. Optical Lithography 주요 기술들의 Concept들을 공유한다. CDU, Process Margin, Position error,… 2. Zero Defect을 위하여 Defect Engineering 비중이 높다. 측정, 검사, 수정, 세정, Pellicle 3. Mask 배율 검토시 Mask 기술 특성을 고려하여 선정함. 1X, 4X, 5X, 8X,… Exposure 부터 시작해보자. 이전 포스팅에서 EBL를 사용한다고 했다. 왜 사용하는가? Why use electrons? Because 파장이 짧아서/Electron 추출이 용이하기 때문이다. 드브로이 물질파 공식을 보면 바로 이해가 갈 수도 있다. 10keV에서 λ ~0.01nm 50kev에서 λ ~..

Photo mask 제작은 Direct lithography 이다.기본적으로 모눈 종이 위에 그림 그리기와 비슷하다고 생각하면 된다. 모눈종이 눈금 =grid size일것이다.최신 Photomask의 design grid 단위가 0.1nm 수준이다.  화소=minimum Δ of pattern size로 정의하면 Photomask 최신 설비(IMS)의 Grid size는 0.1nm 그렇기 때문에 포토마스크의 화소는 한 100경 화소쯤 된다.  참고로 우리 눈이 5.7억 화소이다.wafer를 direct writing 한다면 1-5nm 정도의 Grid 필요하다.    짧게 말하자면 일단 Design data를 Photomask의 resist에 직접(direct) Exposure 하는것으로 시작한다. Mas..

EUV가 도대체 뭐죠? EUV는 무엇이고?, EUV 파장은 왜 13.5 nm 인가요? 우선 EUV가 무엇인지부터 간단히 짚고 넘어갑시다!. 우선 EUV는 극 자외선을 의미합니다. 약 13.5 nm의 파장의 빛이며, 일반적인 자연 상태에서는 존재하지 않습니다. 인공적으로만 만들어질 수 있으며 고 에너지로써 공기에서도 흡수가 활발히 일어나기에 이를 사용하기 위해서 진공 환경은 필수적입니다. 13.5 nm 파장의 중요성 이전 포스팅에서도 설명했던 무어의 법칙이 지속되기 위해서는 반도체의 성능이 당연히 향상되어야겠죠? 반도체의 성능은 속도, 전력효율 등 여러가지 요인이 작용합니다. 이러한 성능향상 요인중에 가장 빠르게 작용하는 것이 회로의 선폭입니다. 칩의 회로를 리소그래피 공정으로 그릴 때, 빛의 파장이 작으..

잠시 다른 길로 빠지자면 사실 EUV는 처음부터 EUV가 아니었습니다. 1990년대 초 까지는 SXPL(Soft-X-ray Projection Lithography)로 불렸습니다. X-선 근접 리소그래피(XPL)와 구별하기 위해 1993년에 소프트-X-선 리소그래피(SXPL)에서 극자외선 리소그래피(EUVL)로의 이름 변경이 되었죠. 새로운 이름은 EUVL과 당시 널리 사용되었던 DUV 리소그래피의 관계를 반영했습니다. 위 그림은 대략적인 로드맵입니다. 한 눈에 보기 편하죠? 전부 소개 하고싶지만, 지루할게 뻔하니 빠르게 대표적인 두 가지만 살펴 보겠습니다. 진정한 EUV의 탄생이라고 봐야 할까요? 여하튼...계속 진행하겠습니다! 한번 EUV 노광장비 원리?.. 기본적인 것!, 즉 광학계 발전과정을 알아..