4. Plasma 변수에 대하여Semiconductor/Plasma2023. 12. 5. 11:52
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이온화 정도 (Degree of ionization)
| 플라즈마 종류 | 압력(Torr) | n | ni(cm-3) | 이온화율 |
| 증착/식각 | 1 | 1016 | 1010 | 10-6 |
| 활성이온식각 (Reactive Ion Etching) |
10-2 | 1014 | 1010 | 10-4 |
| 마그네트론 스퍼터링 | 10-3 | 1013 | 1011 | 10-2 |
| 전자사이클로트론 공명장치 | 10-3 | 1013 | 1012 | 10-1 |
임계 이온화 값 ( critical ionization)
이온화 정도가 임계이온화 값보다 크면, 하전입자들은 이온화된 기체와 같이 행동한다.
Plasma 온도
플라즈마에서 Te(전자온도)는 수만도이지만 전자밀도 ne는 약 1010cm-3 정도이며.
대기압에서의 기체밀도는 약 2.7X1019cm-3이다.
따라서 밀도가 낮고 전자의 열 용량이 작기 때문에 전자에서 기체로, 또는 벽으로 전송되는 에너지는 매우 낮다.
(저온 플라즈마)
전자 에너지 분포
non LTE 플라즈마에서는 맥스웰 분포보다 드뤼베스틴(Druyvesteyn) 분포가 더 나은 표현이다.
5eV 의 전자 평균 에너지에 대해서 8 ~ 14 eV에 이르는 많은 수의 전자가 존재한다.
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