Binary Mask 그냥 일반적인 마스크이다. 누구는 이진마스크 이러던데, 그냥 마스크이다. 1. Cr 투과율 It1/Iill. < 0.001 2. Cr층 반사율: Cr oxide가 Anti-Reflection 역할 - 크롬(Cr)은 우수한 차광 특성으로 인해 바이너리 마스크에서 흡수층에 사용된다. 크롬층은 산화되어 크롬 산화물층을 형성하는 경우가 많으며, 이는 리소그래피 공정 중 이미지 왜곡이나 초점 오차를 유발할 수 있는 광 반사를 최소화하기 위한 반사 방지 코팅의 역할을 한다 3. 열 팽창률: 0.55PPM/℃ @상온, Zerodur~ 0.05PPM 수준 - 마스크 재료(fused silica 또는 Zerodur)에 대한 열 팽창 계수(CTE)는 fused silica의 경우 섭씨 100만 분의 ..

바쁜 현대인을 위한 결론: 1. Optical Lithography 주요 기술들의 Concept들을 공유한다. CDU, Process Margin, Position error,… 2. Zero Defect을 위하여 Defect Engineering 비중이 높다. 측정, 검사, 수정, 세정, Pellicle 3. Mask 배율 검토시 Mask 기술 특성을 고려하여 선정함. 1X, 4X, 5X, 8X,… Exposure 부터 시작해보자. 이전 포스팅에서 EBL를 사용한다고 했다. 왜 사용하는가? Why use electrons? Because 파장이 짧아서/Electron 추출이 용이하기 때문이다. 드브로이 물질파 공식을 보면 바로 이해가 갈 수도 있다. 10keV에서 λ ~0.01nm 50kev에서 λ ~..

Photo mask 제작은 Direct lithography 이다.기본적으로 모눈 종이 위에 그림 그리기와 비슷하다고 생각하면 된다. 모눈종이 눈금 =grid size일것이다.최신 Photomask의 design grid 단위가 0.1nm 수준이다.  화소=minimum Δ of pattern size로 정의하면 Photomask 최신 설비(IMS)의 Grid size는 0.1nm 그렇기 때문에 포토마스크의 화소는 한 100경 화소쯤 된다.  참고로 우리 눈이 5.7억 화소이다.wafer를 direct writing 한다면 1-5nm 정도의 Grid 필요하다.    짧게 말하자면 일단 Design data를 Photomask의 resist에 직접(direct) Exposure 하는것으로 시작한다. Mas..

마스크는 전사할 패턴을 미리 그려놓는 장치이다. 미리 그려놓을 패턴에 결함이 있다면 패터닝 아무리 열심히 해봤자, 결함 패턴만 패터닝 되지 않겠는가? 즉, 원판(mask)에 Defect이나 품질 불량이 있으면 모든 사진(wafer)에 전사(print) 된다. 그러니까 “원판을 최대한, 아주, 엄청나게, 하이엔드급으로 정교하게 제작하여야 한다”. 자 얼마나 정교하게 만들어야할까? 이것도 전문가들이 모여서 쿵짝쿵짝 만들어놓은 로드맵이 있다.로드맵에 따르자면... Pattern Size의 % error =(Pattern의 허용 오차)/(Pattern Size) 로 계산되는데 Gate CD control(Wafer) ~10% 정도, Mask CD control ~1.4% 정도로 Mask(원판)가 정교하여야 한다..

질문: 포토 마스크? 반도체에 쓰이는건 알겠어? 패터닝할때 쓰는거라며? 근데 다른 방법은 없는거야? 결론: 응 없어 회로 패턴을 그릴때 손으로 그리면 얼마나 힘들겠는가? 인간은 도구의 동물, 패턴을 효율적으로 그릴 수 있는 방법을 고안했다. 그렇게 연구된게 마스크이다. 이 마스크를 가지고 물감으로 패턴을 그릴수도 있겠지만(장난이다.) 빛으로 그리는게 더 조밀하고 완벽한 패턴을 그리는데 적합하다는 결론을 당대의 천재들이 찾았다. 이런식으로 연구가 지속됬고 그 포토리소그래피를 이용하여 복잡한 집적회로를 대량으로 생산할 수 있게 됨으로써 반도체 제조 공정은 혁신적으로 변화했다. 특히 업계에서 일반적으로 사용되는 12인치와 같은 대형 웨이퍼를 다룰 때 이러한 확장성의 핵심은 포토리소그래피 공정의 처리량이다. 포..