(a) '등방 식각'은 마스크를 통해 특정 영역에만 식각 공정이 일어나도록 하여 필름 위에 패턴을 만드는 과정입니다. 여기서 \( d_e \)는 식각 깊이를, \( l_u \)는 마스크의 개방 부분의 크기를 나타냄. (b) '경사진 식각'은 식각이 경사진 형태로 진행되어 필름이 경사진 벽을 가지는 패턴을 만듭니다. 이는 마스크의 가장자리에서 식각 속도가 다르기 때문에 발생함. (c) '수직벽 식각'은 식각이 거의 수직으로 진행되어 필름의 벽이 수직에 가깝습니다. 이 유형의 식각은 고해상도 패터닝에 유리하며, 세밀한 구조를 만들 때 주로 사용됨. Plasma 식각에서 일어나는 과정들 (a) 스퍼터링 (이방성 식각) (b) 화학적 휘발화 (등방성 식각) (c) 이온증진 화학작용 (물리 • 화학 과정을 결합)..

Dissociation (해리) : 분자를 떼어 놓는 과정 실리콘 제거 과정: 전개: CF₄ 가스가 전자(e⁻)와 충돌하여 CF₃ 라디칼과 F 라디칼을 생성하며, 동시에 전자를 다시 방출함. 이러한 반응은 플라즈마를 형성하는 데 중요한 역할을 함. O₂ 가스가 전자와 충돌하여 두 개의 O 라디칼과 전자를 방출함. 생성된 라디칼들이 표면 반응을 통해 SiO₂를 식각하는 데 사용됨. 예를 들어, Si + F₄ → SiF₄ 반응은 실리콘을 식각하는 데 쓰임.