13.56MHz의 주파수에 의해 plasma 발생. Chmaber 주변에 전자석으로 자장을 건다. Substrate를 약 0.5Hz의 낮은 속도로 회전을 하여 균일도를 향상한다. 낮은 이온 에너지의 높은 flux를 가지므로 processing rate가 증가하고 substrate에 손상이 적다. ExB drift를 이용하여 효율적으로 플라즈마를 가둠