Photo mask 제작은 Direct lithography 이다.기본적으로 모눈 종이 위에 그림 그리기와 비슷하다고 생각하면 된다. 모눈종이 눈금 =grid size일것이다.최신 Photomask의 design grid 단위가 0.1nm 수준이다.  화소=minimum Δ of pattern size로 정의하면 Photomask 최신 설비(IMS)의 Grid size는 0.1nm 그렇기 때문에 포토마스크의 화소는 한 100경 화소쯤 된다.  참고로 우리 눈이 5.7억 화소이다.wafer를 direct writing 한다면 1-5nm 정도의 Grid 필요하다.    짧게 말하자면 일단 Design data를 Photomask의 resist에 직접(direct) Exposure 하는것으로 시작한다. Mas..