플라즈마 프로세스 방전 단원자 : 비활성기체(예: Ar, Ne, Hg) 가스 분자 : 2원자(H2, O2), 5원자(예: CH4, SiH4, CF4) 내부 에너지 : U 체적 V, 압력 p의 기체 : 열역학적 상태, H=U+pV XY → X + Y : 가열하여 전도에서 전기 경향이지만 다 고정 해리된다.(열해리) H2 → H + H : 2.25 X 2 = 4.5 eV SiH4 → SiH2 + H2 : 2.57 - 0.35 = 2.22 eV(열균열) SiH3 + H → SiH4 : (2.02 + 2.25) - 0.35 = 3.92 eV(열균열) 여기 반응 : e + XY → XY* + e 진동 및 회전 및 포텐셜 에너지를 갖는다. 전자 여기에너지 : 10 eV 전동 및 회전 주위에서 여기 : 0.5 eV ..

Kinetic Parameters: 전구체와 희석제, 유량, 펌핑 속도, 압력 등을 포함하며, 플라즈마의 운동학적 특성을 결정함. Electrical Parameters: 전력, 주파수, 전극 기하학 등으로 구성되며, 플라즈마의 전기적 특성을 조절함. 이 두 매개변수 집합은 'Plasma Parameters'로 통합되며, 이는 이온의 에너지, 화학종, 밀도, 온도, 체류 시간 등을 포함함. 이러한 플라즈마 매개변수는 공정 운동학과 기작에 영향을 미치고, 이는 다시 'Processed layer'의 특성에 영향을 줌. 'Plasma Parameters'와 'Surface Parameters'는 플라즈마-표면 상호작용을 통해 상호 연결됨. 'Surface Parameters'는 기판 및 전극의 재료(전도성/..