18. 하전입자의 운동 (전기장)
Semiconductor/Plasma2023. 12. 17. 11:5618. 하전입자의 운동 (전기장)

직류(DC) 방전에서 전자에 관련된 경우 Drift 운동 : 플라즈마 안에서 흐르는 평균자유행로의 길이에 의해, 이온은 전자보다 훨씬 큰 자유행로를 가짐(예시, 토머스) 또는 충돌하여 전자가 손실되어 이동할 수 있는 것 \( \frac{d\vec{v}}{dt} = \frac{q\vec{E}}{m}; \) Newton 운동방정식 \( \frac{d\vec{v}}{dt} = \frac{q\vec{E}}{m} - \nu\vec{v}; \) Langevin 방정식(이온이 대기 중에 마찰력을 겪음) \( \nu \): 충돌주파수 (이온이 중성 입자와 대기 사이에 충돌을 하게 됨) \( v_D = \frac{qE}{m\nu}; \) Drift속도(평균자유행로의 수학 이동속도) 시간에 따라 변하지 않는 경우 : 편이..

16. 플라즈마의 기준
Semiconductor/Plasma2023. 12. 15. 12:5516. 플라즈마의 기준

플라즈마 안에서 충돌주파수와 이온의 부유이동성의 관계 \( \frac{1}{\omega_p} (\approx t_D) = \left(\frac{4 \pi n_e e^2}{m_e}\right)^{-\frac{1}{2}} < 1 \) \( \omega_p \): 플라즈마 각주파수 = \( 5.6 \times 10^4 \sqrt{n_e} \) [Hz] \( t_D = \frac{v_{Te}}{\lambda_{De}}, \lambda_{De} = \left(\frac{4 \pi n_e e^2}{k_B T_e}\right)^{-\frac{1}{2}} \approx 690 \sqrt{\frac{T_e}{n_e}} \) [cm] 전자의 확산속도 \( v_{Te} \approx \left(\frac{3 T_e}{m_e..

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