마스크는 전사할 패턴을 미리 그려놓는 장치이다. 미리 그려놓을 패턴에 결함이 있다면 패터닝 아무리 열심히 해봤자, 결함 패턴만 패터닝 되지 않겠는가? 즉, 원판(mask)에 Defect이나 품질 불량이 있으면 모든 사진(wafer)에 전사(print) 된다. 그러니까 “원판을 최대한, 아주, 엄청나게, 하이엔드급으로 정교하게 제작하여야 한다”. 자 얼마나 정교하게 만들어야할까? 이것도 전문가들이 모여서 쿵짝쿵짝 만들어놓은 로드맵이 있다.로드맵에 따르자면... Pattern Size의 % error =(Pattern의 허용 오차)/(Pattern Size) 로 계산되는데 Gate CD control(Wafer) ~10% 정도, Mask CD control ~1.4% 정도로 Mask(원판)가 정교하여야 한다..

이전 포스팅에서 다층 고반사 박막을 알아보았고, 이번 포스팅에서는 EUV를 비롯 포토리소그래피에서 가장 중요한 파트 중 하나를 맡고 있는 포토레지스트, 즉 EUV 포토레지스트에 대해 간략히 소개하고자 합니다. EUV 포토레지스트의 개발은 수십 년 동안 진행되어 온 길고 긴 여정입니다. 고해상도 반도체 장치에 대한 요구는 EUV 리소그래피의 개발을 주도했으며, 이는 EUV 빛에 민감한 특수 레지스트 개발을 필요로 했습니다. 이러한 레지스트는 날이 갈수록 점점 더 작아지고 복잡해지는 반도체 장치에 복잡한 패턴을 생성하는 데 중요한 역할을 합니다. 이번 포스팅에서 반도체 제조의 리소그래피 공정 중에 EUV 빛에 적절하게 반응하는 포토폴리머 또는 레지스트의 개발의 주요 이정표, 성과, 과제 및 향후 전망을 포괄..

끊임없이 발전하는 반도체 기술 세계에서 칩에 적용되는 트랜지스터의 지속적인 성장은 신제품이 나왔다고 할 때마다. 특히 놀랍습니다. 지난 30년 동안 트랜지스터의 수는 기하급수적으로 증가하여 무어의 법칙처럼 18개월마다 약 두 배가 되었습니다. 이러한 성장과 함께 리소그래피의 중요성이 증가하고 있습니다. 리소그래피는 반도체 칩에서 더 작은 구조 및 회로 크기와 더 조밀한 오버레이를 달성하는 데 중요한 역할을 하죠. 다양한 리소그래피 기술 중에서 High NA Immersion Photo-Lithography가 시장을 이끌었지만, 더 높은 해상도와 더 큰 초점 심도가 필요함에 따라 EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography) EUV 리소그래피라는 새로운 공정 기술이 대체 솔루션으로 등..