Photo mask 제작은 Direct lithography 이다.기본적으로 모눈 종이 위에 그림 그리기와 비슷하다고 생각하면 된다. 모눈종이 눈금 =grid size일것이다.최신 Photomask의 design grid 단위가 0.1nm 수준이다.  화소=minimum Δ of pattern size로 정의하면 Photomask 최신 설비(IMS)의 Grid size는 0.1nm 그렇기 때문에 포토마스크의 화소는 한 100경 화소쯤 된다.  참고로 우리 눈이 5.7억 화소이다.wafer를 direct writing 한다면 1-5nm 정도의 Grid 필요하다.    짧게 말하자면 일단 Design data를 Photomask의 resist에 직접(direct) Exposure 하는것으로 시작한다. Mas..

마스크는 전사할 패턴을 미리 그려놓는 장치이다. 미리 그려놓을 패턴에 결함이 있다면 패터닝 아무리 열심히 해봤자, 결함 패턴만 패터닝 되지 않겠는가? 즉, 원판(mask)에 Defect이나 품질 불량이 있으면 모든 사진(wafer)에 전사(print) 된다. 그러니까 “원판을 최대한, 아주, 엄청나게, 하이엔드급으로 정교하게 제작하여야 한다”. 자 얼마나 정교하게 만들어야할까? 이것도 전문가들이 모여서 쿵짝쿵짝 만들어놓은 로드맵이 있다.로드맵에 따르자면... Pattern Size의 % error =(Pattern의 허용 오차)/(Pattern Size) 로 계산되는데 Gate CD control(Wafer) ~10% 정도, Mask CD control ~1.4% 정도로 Mask(원판)가 정교하여야 한다..

Masking Layers : 마스킹 공정은 포토마스크, 소프트마스크, 하드마스크 등 다양한 종류의 마스크를 사용하며, 각각의 단계 또는 리소그래피의 종류에 적합하다. 1. Photomasks 는 일반적으로 광학 리소그래피에 사용되며 웨이퍼 상에 전사될 실제 패턴을 포함한다. 2. Soft masks 는 기판에 도포되고 나중에 원하는 패턴을 드러내기 위해 현상되는 포토레지스트 층을 의미한다. 3. Hard masks 는 더 부드러운 마스크가 가혹한 조건을 견딜 수 없는 에칭 공정에 사용되는 내구성 있는 마스킹 층이다. 1. Photon-based Lithography : 포토마스크를 사용하며 패턴을 전달하기 위해 UV 광을 포함하는 가장 일반적인 형태이다. 2. E-beam Lithography : 전자..

19세기: 생물학과 의학에서 '플라즈마' 사용, 원형질 및 혈장, 림프액을 지칭. 1985년 Faraday: 방전관 내 전리 기체의 독특한 특성 발견, 안정된 플라즈마 상태 확인. 1879년 Crooks: 방전 기체를 "제 4의 물질 상태"로 명명, 새로운 상태 강조. 1928년 Langmuir: 진공 방전에서 전자와 이온이 중성인 균일한 플라즈마 상태 발견. 1929년 플라즈마 진동 발견. 플라즈마(Plasma)란 ? 원자가 전자기장 및 입자와의 충돌 등에 의해 전하를 띠는 양이온과 전자들이 분리되어 있는 집단을 플라즈마(Plasma) 물질의 에너지 = 탄성에너지(전자기적 결합에너지) + 운동에너지(열에너지) 상전이는 운동에너지(열에너지)가 탄성에너지보다 큰 경우 발생함. • 고체 : C.M. 이 공간..