바쁜 현대인을 위한 결론: 1. Optical Lithography 주요 기술들의 Concept들을 공유한다. CDU, Process Margin, Position error,… 2. Zero Defect을 위하여 Defect Engineering 비중이 높다. 측정, 검사, 수정, 세정, Pellicle 3. Mask 배율 검토시 Mask 기술 특성을 고려하여 선정함. 1X, 4X, 5X, 8X,… Exposure 부터 시작해보자. 이전 포스팅에서 EBL를 사용한다고 했다. 왜 사용하는가? Why use electrons? Because 파장이 짧아서/Electron 추출이 용이하기 때문이다. 드브로이 물질파 공식을 보면 바로 이해가 갈 수도 있다. 10keV에서 λ ~0.01nm 50kev에서 λ ~..

Masking Layers : 마스킹 공정은 포토마스크, 소프트마스크, 하드마스크 등 다양한 종류의 마스크를 사용하며, 각각의 단계 또는 리소그래피의 종류에 적합하다. 1. Photomasks 는 일반적으로 광학 리소그래피에 사용되며 웨이퍼 상에 전사될 실제 패턴을 포함한다. 2. Soft masks 는 기판에 도포되고 나중에 원하는 패턴을 드러내기 위해 현상되는 포토레지스트 층을 의미한다. 3. Hard masks 는 더 부드러운 마스크가 가혹한 조건을 견딜 수 없는 에칭 공정에 사용되는 내구성 있는 마스킹 층이다. 1. Photon-based Lithography : 포토마스크를 사용하며 패턴을 전달하기 위해 UV 광을 포함하는 가장 일반적인 형태이다. 2. E-beam Lithography : 전자..

이전 포스팅에서 다층 고반사 박막을 알아보았고, 이번 포스팅에서는 EUV를 비롯 포토리소그래피에서 가장 중요한 파트 중 하나를 맡고 있는 포토레지스트, 즉 EUV 포토레지스트에 대해 간략히 소개하고자 합니다. EUV 포토레지스트의 개발은 수십 년 동안 진행되어 온 길고 긴 여정입니다. 고해상도 반도체 장치에 대한 요구는 EUV 리소그래피의 개발을 주도했으며, 이는 EUV 빛에 민감한 특수 레지스트 개발을 필요로 했습니다. 이러한 레지스트는 날이 갈수록 점점 더 작아지고 복잡해지는 반도체 장치에 복잡한 패턴을 생성하는 데 중요한 역할을 합니다. 이번 포스팅에서 반도체 제조의 리소그래피 공정 중에 EUV 빛에 적절하게 반응하는 포토폴리머 또는 레지스트의 개발의 주요 이정표, 성과, 과제 및 향후 전망을 포괄..