NEW EUV LIGHT SOURCE FOR INSPECTION "URASHIMA" Light source requirement for APMI APMI에 적합한 광원을 고려할 때 EUV 펠리클의 열부하 문제는 피할 수 없습니다. EUV 펠리클의 투과율은 꾸준히 향상되고 있지만 열흡수율을 무시할 수 없으며 현재 입력 전력의 제한이 있습니다. 고휘도 조명은 고감도, 고처리량 결함 검사에 기여하지만 과도한 열부하는 펠리클을 손상시키기 때문에 사용할 수 있는 조명의 밝기에 한계가 있습니다. 따라서 검사 성능에 한계가 있습니다. 시야각(FOV)보다 큰 크기의 조명과 FOV에 가까운 크기의 조명의 이미지를 위 표에서 볼수 있는데, 맨 위 행은 펠리클의 강도를 나타내고 맨 아래 행은 마스크의 강도를 나타냅니다. 빨..

위 그림은 렌즈이지만, 비구면에 초점을 맞춰서 봐주시기 바랍니다. 이전 포스팅에서 이어지는 설명을 담은 포스팅입니다. 바로 미러, 특히 EUV 비구면 미러의 제작 및 개발과정에 관한 포스팅인데요. 자 알아보시죠! EUV은 흡수가 아주 잘되는 빛이기에 렌즈를 사용할 수 없고 반사를 이용해서 광을 웨이퍼에 전달해야합니다. 즉, EUV 미러죠! 하지만 거울 종류에도 여러가지가 있겠죠? 그중에서 비구면 거울을 사용합니다. 비구면 거울이 무엇일까요? 간단히 말해서 비구면 거울은 단순히 구부러진 모양이 아니라 더 복잡한 모양을 가진 특수 설계된 거울입니다. 이 복잡한 모양은 EUVL에 중요한 빛을 더 정확하게 집중시키는 데 도움이 됩니다. 1980년대 후반에 EUV 이미징 시스템용 미러를 만드는 것은 마치 벅찬 산..

Aspherical-Mirror Imaging 이전 포스팅에 이어서 설명을 계속 하겠습니다. 하지만 구면거울이 가지는 수차로 인해 제조공정의 한계가 명백해지면서 비구면거울로의 전환이 불가피해졌습니다. 비구면 거울은 구면 거울과 달리 구면 수차, 즉 중심이 아닌 가장자리 근처에서 거울에 닿는 광선의 굴절 증가로 인해 발생하는 왜곡이 발생하지 않습니다. 이 속성은 EUVL과 같이 높은 정밀도가 필요한 응용 분야에서 매우 중요합니다. 1989년 NTT에서 2개 비구면 미러 이미징 시스템을 개발했습니다. 이 시스템은 리소그래피 노광 설비에 대한 세 가지 최소 요구 사항을 충족했습니다. 이미지 측면에서 텔레센트릭: 시스템은 주광선(조리개 중심을 통과하는 물체 공간의 축외 지점에서 나오는 광선)이 이미지 측면에 평..

잠시 다른 길로 빠지자면 사실 EUV는 처음부터 EUV가 아니었습니다. 1990년대 초 까지는 SXPL(Soft-X-ray Projection Lithography)로 불렸습니다. X-선 근접 리소그래피(XPL)와 구별하기 위해 1993년에 소프트-X-선 리소그래피(SXPL)에서 극자외선 리소그래피(EUVL)로의 이름 변경이 되었죠. 새로운 이름은 EUVL과 당시 널리 사용되었던 DUV 리소그래피의 관계를 반영했습니다. 위 그림은 대략적인 로드맵입니다. 한 눈에 보기 편하죠? 전부 소개 하고싶지만, 지루할게 뻔하니 빠르게 대표적인 두 가지만 살펴 보겠습니다. 진정한 EUV의 탄생이라고 봐야 할까요? 여하튼...계속 진행하겠습니다! 한번 EUV 노광장비 원리?.. 기본적인 것!, 즉 광학계 발전과정을 알아..