16. 플라즈마의 기준
Semiconductor/Plasma2023. 12. 15. 12:5516. 플라즈마의 기준

플라즈마 안에서 충돌주파수와 이온의 부유이동성의 관계 \( \frac{1}{\omega_p} (\approx t_D) = \left(\frac{4 \pi n_e e^2}{m_e}\right)^{-\frac{1}{2}} < 1 \) \( \omega_p \): 플라즈마 각주파수 = \( 5.6 \times 10^4 \sqrt{n_e} \) [Hz] \( t_D = \frac{v_{Te}}{\lambda_{De}}, \lambda_{De} = \left(\frac{4 \pi n_e e^2}{k_B T_e}\right)^{-\frac{1}{2}} \approx 690 \sqrt{\frac{T_e}{n_e}} \) [cm] 전자의 확산속도 \( v_{Te} \approx \left(\frac{3 T_e}{m_e..

5. Debye 길이(λD)에 대하여
Semiconductor/Plasma2023. 12. 6. 11:525. Debye 길이(λD)에 대하여

플라즈마 내에 전기장이 생기면(정전하가 삽입된다면) 국부적인 전기장을 차폐하기 위하여 가볍고 운동성이 좋은 전자가 먼저 모아져 전기적으로 준중성 상태를 유지한다. 이때 모이는 전자의 두께가 거의 \( \lambda_D \)로 되어 전위의 변화는 거의 이 범위에서 일어나므로 그 속에서는 전장이 강하고 그 외부에는 전장이 약하다. 그러므로 디바이(Debye) 길이는 플라즈마의 전기적 중성의 성질이 깨지는 영역의 길이를 의미한다. 양전하 q가 전기적으로 중성인 플라즈마에 삽인된 경우 전하는 자유 공간에서 다음과 같은 전하를 만든다. \( \Phi_0 = -\frac{q}{4 \pi \varepsilon_0 r} \) (r: 전하로부터의 거리) 푸아송 방정식: \( \nabla^2 V = -\frac{\rho}..

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