42. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (4)
Semiconductor/EUV lithography2023. 12. 19. 15:1542. High-NA APMI - LASERTEC ACTIS A300 Series (4)

NEW EUV LIGHT SOURCE FOR INSPECTION "URASHIMA" Light source requirement for APMI APMI에 적합한 광원을 고려할 때 EUV 펠리클의 열부하 문제는 피할 수 없습니다. EUV 펠리클의 투과율은 꾸준히 향상되고 있지만 열흡수율을 무시할 수 없으며 현재 입력 전력의 제한이 있습니다. 고휘도 조명은 고감도, 고처리량 결함 검사에 기여하지만 과도한 열부하는 펠리클을 손상시키기 때문에 사용할 수 있는 조명의 밝기에 한계가 있습니다. 따라서 검사 성능에 한계가 있습니다. 시야각(FOV)보다 큰 크기의 조명과 FOV에 가까운 크기의 조명의 이미지를 위 표에서 볼수 있는데, 맨 위 행은 펠리클의 강도를 나타내고 맨 아래 행은 마스크의 강도를 나타냅니다. 빨..

12. EUV 개발 역사 (12) - LPP 광원의 심화기술
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 9. 00:4212. EUV 개발 역사 (12) - LPP 광원의 심화기술

드라이브 레이저: 시드 레이저와 증폭기를 포함하는 레이저 토탈 시스템이라고 생각하면됩니다. 그러기에 당연히 전체 시스템 아키텍처에서 중추적인 역할을 합니다. 예시로 20kW 이상의 필요한 출력 수준에 도달하기 위해 여러 단계의 증폭을 포함합니다. 종종 약 50kHz에서 펄스 모드로 작동하는 드라이브 레이저는 메가헤르츠 범위에서 작동하는 발전기의 무선 주파수(RF) 펌핑에 의존하기도 합니다. 빔 전송 시스템(BTS): 빔 전송 시스템은 구동 레이저에서 소스 진공 용기로 레이저 빔의 전달을 용이하게 하는 도관 역할을 합니다. BTS는 터닝 미러 덕분에 팹에서 팹으로 레이저 빔의 통과를 가능하게 합니다. 이러한 기술 덕분에 레이저의 정확한 위치 지정을 보장합니다. 소스 진공 용기(Vessel): 여기에는 포커..

10. EUV 개발 역사 (10) - LPP 광원의 서막
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 7. 00:3310. EUV 개발 역사 (10) - LPP 광원의 서막

Laser-produced plasma light sources are especially powerful, precise, and controllable. Courtesy of Adlyte Inc. EUV 광원 개발을 위해 싱크로트론 방사의 대안으로 고려된 것은 바로 LPP, 레이저 생성 플라즈마입니다. LPP는 고강도 레이저 빔이 플라즈마를 생성하기 위해 주로 금속인 대상 물질에 초점을 맞추는 일종의 플라즈마 소스입니다. 플라즈마 내의 높은 온도와 압력은 EUV 빛을 포함한 빛의 방출로 이어집니다. EUV 광원 생산에 LPP를 사용하면 몇 가지 이점이 있습니다. 가장 큰 장점은 소형의 상대적으로 저렴한 장비를 사용하여 LPP를 생성할 수 있어 이 기술을 상용 응용 프로그램에 보다 쉽게 접근할 수 있다..

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