이전 포스팅에서 간략하게 설명한 Sn droplet, Tin Droplet, 주석 발생기 등등 여러가지고 불리우는 droplet, 한국어로는 액적발생기에 대해서 설명하려합니다. EUV 리소그래피는 실리콘 웨이퍼에 고해상도 패턴을 만들기 위해 약 13.5 나노미터의 파장을 가진 EUV 빛의 생성에 의존합니다. EUV 빛은 주석 방울이 중요한 역할을 하는 레이저 유도 플라즈마로 알려진 프로세스를 통해 생성됩니다. 이 물방울들은 정확하게 광 수집기의 초점으로 전달되며, 여기서 CO2 레이저 펄스가 발광 플라즈마를 생성하는 데 사용됩니다. 주석 방울을 지속적이고 정확하게 전달하는 능력은 안정적이고 신뢰할 수 있는 EUV 광 발생을 달성하는 데 가장 중요합니다. 주석 표적 전달의 복잡성을 이해하는 것은 EUV 소..

이전 글에서도 설명 한 것 처럼.. EUV 광원을 사용하는 반도체 제조 영역에서 LPP (레이저 생산 플라즈마) 소스 시스템은 극자외선(EUV) 리소그래피(EUV lithography)에 매우 중요합니다. 사실상 EUV 원리 설명에 가깝죠. 위 시스템을 통해 EUV 출력 스케일링을 크게 개선했습니다. 무엇보다 더 높은 EUV 출력 수준은 반도체 산업에서 대량 생산(HVM)의 요구 사항을 충족하기에, 매우 중요합니다. 이번 포스팅에서는 일반적인 LPP 소스 시스템에서 시스템 구성의 복잡성에 대해 자세히 설명하고자 합니다. 이전 포스팅보다 심화된 내용이니 참고하세요~ 또한 더 높은 EUV 출력 수준을 달성하기 위해 사용되는 다양한 발전 및 출력 스케일링 기술을 알아봅시다! (사실상 EUV 노광장비 원리 중 ..