NEW EUV LIGHT SOURCE FOR INSPECTION "URASHIMA" Light source requirement for APMI APMI에 적합한 광원을 고려할 때 EUV 펠리클의 열부하 문제는 피할 수 없습니다. EUV 펠리클의 투과율은 꾸준히 향상되고 있지만 열흡수율을 무시할 수 없으며 현재 입력 전력의 제한이 있습니다. 고휘도 조명은 고감도, 고처리량 결함 검사에 기여하지만 과도한 열부하는 펠리클을 손상시키기 때문에 사용할 수 있는 조명의 밝기에 한계가 있습니다. 따라서 검사 성능에 한계가 있습니다. 시야각(FOV)보다 큰 크기의 조명과 FOV에 가까운 크기의 조명의 이미지를 위 표에서 볼수 있는데, 맨 위 행은 펠리클의 강도를 나타내고 맨 아래 행은 마스크의 강도를 나타냅니다. 빨..

레이저텍은 2019년에 Actinic Patterned Mask Inspection (APMI) 시스템, ACTIS를 2019년에 출시했으며, 현재까지 EUV용 Actinic 검사 솔루션 지속적으로 제공하고 있죠. ACTIS는 EUV 포토마스크의 고해상도, 고처리량 검사에 주로 사용되는데, EUV 파장을 광원으로 사용하기 때문에 모든 EUV 마스크 결함을 검출할 수 있는 능력은 가지고 있죠. 당연하지만 EUV 광을 가지고 검사한다는게 정말 쉬운 일은 아닙니다. EUV 소스의 종류는 다양하고, 사양도 다르고 그 특성도 다 다릅니다. 상업화된 광원을 가져온다는것도 쉽지않고 그 광원을 독자 설비에 적용하는건 더더욱 어렵거든요. 다시 돌아와서, Actinic Inspection는 일반적으로 위상 결함을 검출하는..

이전 포스팅에서 간략하게 설명한 Sn droplet, Tin Droplet, 주석 발생기 등등 여러가지고 불리우는 droplet, 한국어로는 액적발생기에 대해서 설명하려합니다. EUV 리소그래피는 실리콘 웨이퍼에 고해상도 패턴을 만들기 위해 약 13.5 나노미터의 파장을 가진 EUV 빛의 생성에 의존합니다. EUV 빛은 주석 방울이 중요한 역할을 하는 레이저 유도 플라즈마로 알려진 프로세스를 통해 생성됩니다. 이 물방울들은 정확하게 광 수집기의 초점으로 전달되며, 여기서 CO2 레이저 펄스가 발광 플라즈마를 생성하는 데 사용됩니다. 주석 방울을 지속적이고 정확하게 전달하는 능력은 안정적이고 신뢰할 수 있는 EUV 광 발생을 달성하는 데 가장 중요합니다. 주석 표적 전달의 복잡성을 이해하는 것은 EUV 소..

이전 글에서도 설명 한 것 처럼.. EUV 광원을 사용하는 반도체 제조 영역에서 LPP (레이저 생산 플라즈마) 소스 시스템은 극자외선(EUV) 리소그래피(EUV lithography)에 매우 중요합니다. 사실상 EUV 원리 설명에 가깝죠. 위 시스템을 통해 EUV 출력 스케일링을 크게 개선했습니다. 무엇보다 더 높은 EUV 출력 수준은 반도체 산업에서 대량 생산(HVM)의 요구 사항을 충족하기에, 매우 중요합니다. 이번 포스팅에서는 일반적인 LPP 소스 시스템에서 시스템 구성의 복잡성에 대해 자세히 설명하고자 합니다. 이전 포스팅보다 심화된 내용이니 참고하세요~ 또한 더 높은 EUV 출력 수준을 달성하기 위해 사용되는 다양한 발전 및 출력 스케일링 기술을 알아봅시다! (사실상 EUV 노광장비 원리 중 ..

Laser-produced plasma light sources are especially powerful, precise, and controllable. Courtesy of Adlyte Inc. EUV 광원 개발을 위해 싱크로트론 방사의 대안으로 고려된 것은 바로 LPP, 레이저 생성 플라즈마입니다. LPP는 고강도 레이저 빔이 플라즈마를 생성하기 위해 주로 금속인 대상 물질에 초점을 맞추는 일종의 플라즈마 소스입니다. 플라즈마 내의 높은 온도와 압력은 EUV 빛을 포함한 빛의 방출로 이어집니다. EUV 광원 생산에 LPP를 사용하면 몇 가지 이점이 있습니다. 가장 큰 장점은 소형의 상대적으로 저렴한 장비를 사용하여 LPP를 생성할 수 있어 이 기술을 상용 응용 프로그램에 보다 쉽게 접근할 수 있다..