15. EUV 개발 역사 (15) - 무전극 EUV 광원
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 12. 00:4915. EUV 개발 역사 (15) - 무전극 EUV 광원

EQ-10 무전극(Electrodeless) Z-Pinch™ 소스는 무엇일까요? 이 기술은 플라즈마를 이용하며 상대적으로 유지보수가 필요 없는 소스입니다. 양산성에 PM/BM은 중요조건인데 이 기술에 적합하고 딱 좋은 기술임은 바로 알 수 있을 것입니다. (에너제틱 사의 광원 모델 EQ-10에 대한 이야기입니다.) EQ-10의 두드러진 특징은 Z 핀치 전류를 생성해서 사용하는 것이죠. 이는 혁신적인 접근 방식입니다. 일반적인 플라즈마 소스는 전극을 통한 전도현상에 의존하죠. 이는 안정성 문제와 전극 침식 문제로 인해 오염이 발생하는 문제로 가득 찬 공정입니다. 그러나 EQ-10은 변압기 코어를 통한 유도를 활용하여 전극이 필요가 없습니다. 이러한 뚜렷한 차이는 뛰어난 공간 안정성과 오염물질 생산의 엄청난..

12. EUV 개발 역사 (12) - LPP 광원의 심화기술
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 9. 00:4212. EUV 개발 역사 (12) - LPP 광원의 심화기술

드라이브 레이저: 시드 레이저와 증폭기를 포함하는 레이저 토탈 시스템이라고 생각하면됩니다. 그러기에 당연히 전체 시스템 아키텍처에서 중추적인 역할을 합니다. 예시로 20kW 이상의 필요한 출력 수준에 도달하기 위해 여러 단계의 증폭을 포함합니다. 종종 약 50kHz에서 펄스 모드로 작동하는 드라이브 레이저는 메가헤르츠 범위에서 작동하는 발전기의 무선 주파수(RF) 펌핑에 의존하기도 합니다. 빔 전송 시스템(BTS): 빔 전송 시스템은 구동 레이저에서 소스 진공 용기로 레이저 빔의 전달을 용이하게 하는 도관 역할을 합니다. BTS는 터닝 미러 덕분에 팹에서 팹으로 레이저 빔의 통과를 가능하게 합니다. 이러한 기술 덕분에 레이저의 정확한 위치 지정을 보장합니다. 소스 진공 용기(Vessel): 여기에는 포커..

5. EUV 개발 역사 (5) - 비구면 거울의 서막
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 2. 00:095. EUV 개발 역사 (5) - 비구면 거울의 서막

위 그림은 렌즈이지만, 비구면에 초점을 맞춰서 봐주시기 바랍니다. 이전 포스팅에서 이어지는 설명을 담은 포스팅입니다. 바로 미러, 특히 EUV 비구면 미러의 제작 및 개발과정에 관한 포스팅인데요. 자 알아보시죠! EUV은 흡수가 아주 잘되는 빛이기에 렌즈를 사용할 수 없고 반사를 이용해서 광을 웨이퍼에 전달해야합니다. 즉, EUV 미러죠! 하지만 거울 종류에도 여러가지가 있겠죠? 그중에서 비구면 거울을 사용합니다. 비구면 거울이 무엇일까요? 간단히 말해서 비구면 거울은 단순히 구부러진 모양이 아니라 더 복잡한 모양을 가진 특수 설계된 거울입니다. 이 복잡한 모양은 EUVL에 중요한 빛을 더 정확하게 집중시키는 데 도움이 됩니다. 1980년대 후반에 EUV 이미징 시스템용 미러를 만드는 것은 마치 벅찬 산..

4. EUV 개발 역사 (4) - 광학계 거울 구성
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 1. 00:054. EUV 개발 역사 (4) - 광학계 거울 구성

Aspherical-Mirror Imaging 이전 포스팅에 이어서 설명을 계속 하겠습니다. 하지만 구면거울이 가지는 수차로 인해 제조공정의 한계가 명백해지면서 비구면거울로의 전환이 불가피해졌습니다. 비구면 거울은 구면 거울과 달리 구면 수차, 즉 중심이 아닌 가장자리 근처에서 거울에 닿는 광선의 굴절 증가로 인해 발생하는 왜곡이 발생하지 않습니다. 이 속성은 EUVL과 같이 높은 정밀도가 필요한 응용 분야에서 매우 중요합니다. 1989년 NTT에서 2개 비구면 미러 이미징 시스템을 개발했습니다. 이 시스템은 리소그래피 노광 설비에 대한 세 가지 최소 요구 사항을 충족했습니다. 이미지 측면에서 텔레센트릭: 시스템은 주광선(조리개 중심을 통과하는 물체 공간의 축외 지점에서 나오는 광선)이 이미지 측면에 평..

2. EUV 개발 역사 (2) - 광학계의 발전 과정
Semiconductor/EUV lithography2023. 9. 29. 23:522. EUV 개발 역사 (2) - 광학계의 발전 과정

잠시 다른 길로 빠지자면 사실 EUV는 처음부터 EUV가 아니었습니다. 1990년대 초 까지는 SXPL(Soft-X-ray Projection Lithography)로 불렸습니다. X-선 근접 리소그래피(XPL)와 구별하기 위해 1993년에 소프트-X-선 리소그래피(SXPL)에서 극자외선 리소그래피(EUVL)로의 이름 변경이 되었죠. 새로운 이름은 EUVL과 당시 널리 사용되었던 DUV 리소그래피의 관계를 반영했습니다. 위 그림은 대략적인 로드맵입니다. 한 눈에 보기 편하죠? 전부 소개 하고싶지만, 지루할게 뻔하니 빠르게 대표적인 두 가지만 살펴 보겠습니다. 진정한 EUV의 탄생이라고 봐야 할까요? 여하튼...계속 진행하겠습니다! 한번 EUV 노광장비 원리?.. 기본적인 것!, 즉 광학계 발전과정을 알아..

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