Masking Layers : 마스킹 공정은 포토마스크, 소프트마스크, 하드마스크 등 다양한 종류의 마스크를 사용하며, 각각의 단계 또는 리소그래피의 종류에 적합하다. 1. Photomasks 는 일반적으로 광학 리소그래피에 사용되며 웨이퍼 상에 전사될 실제 패턴을 포함한다. 2. Soft masks 는 기판에 도포되고 나중에 원하는 패턴을 드러내기 위해 현상되는 포토레지스트 층을 의미한다. 3. Hard masks 는 더 부드러운 마스크가 가혹한 조건을 견딜 수 없는 에칭 공정에 사용되는 내구성 있는 마스킹 층이다. 1. Photon-based Lithography : 포토마스크를 사용하며 패턴을 전달하기 위해 UV 광을 포함하는 가장 일반적인 형태이다. 2. E-beam Lithography : 전자..

이전 포스팅에서 다층 고반사 박막을 알아보았고, 이번 포스팅에서는 EUV를 비롯 포토리소그래피에서 가장 중요한 파트 중 하나를 맡고 있는 포토레지스트, 즉 EUV 포토레지스트에 대해 간략히 소개하고자 합니다. EUV 포토레지스트의 개발은 수십 년 동안 진행되어 온 길고 긴 여정입니다. 고해상도 반도체 장치에 대한 요구는 EUV 리소그래피의 개발을 주도했으며, 이는 EUV 빛에 민감한 특수 레지스트 개발을 필요로 했습니다. 이러한 레지스트는 날이 갈수록 점점 더 작아지고 복잡해지는 반도체 장치에 복잡한 패턴을 생성하는 데 중요한 역할을 합니다. 이번 포스팅에서 반도체 제조의 리소그래피 공정 중에 EUV 빛에 적절하게 반응하는 포토폴리머 또는 레지스트의 개발의 주요 이정표, 성과, 과제 및 향후 전망을 포괄..

이번 포스팅에서는 미러의 제조 방법과 개발 역사에 이어 미러에 적용되는 EUV 전용 고반사 다층박막에 대해 소개하고자 합니다. 먼저 EUV에 대해 간략하게 설명하자면...(다들 아시겠지만)EUVL은 자외선 범위에서 매우 짧은 파장의 빛을 사용하여 실리콘 웨이퍼에 패턴을 그리는 것을 말합니다. 쉽게 말해 웨이퍼라는 도화지 위해 그림 그리는 것이라고 생각해주세요 EUVL은 매우 짧은 자외선 파장을 사용하여 실리콘 웨이퍼에 복잡한 패턴을 생성합니다. 참고로 짧은 파장을 이용하여 패턴을 형성할 경우 더 세밀한 패턴을 제작할 수 있고 반도체의 성능은 더 좋아집니다! 그러나 EUVL의 가장 큰 난제는 빛의 흡수에 있으며, 광의 전달이 가장 큰 고민거리였습니다. 결국 반사광학계의 차용을 통해서 EUV 광을 전달 할 ..