7. EUV 개발 역사 (7) - 다층 박막의 서막
Semiconductor/EUV lithography2023. 10. 4. 00:187. EUV 개발 역사 (7) - 다층 박막의 서막

이번 포스팅에서는 미러의 제조 방법과 개발 역사에 이어 미러에 적용되는 EUV 전용 고반사 다층박막에 대해 소개하고자 합니다. 먼저 EUV에 대해 간략하게 설명하자면...(다들 아시겠지만)EUVL은 자외선 범위에서 매우 짧은 파장의 빛을 사용하여 실리콘 웨이퍼에 패턴을 그리는 것을 말합니다. 쉽게 말해 웨이퍼라는 도화지 위해 그림 그리는 것이라고 생각해주세요 EUVL은 매우 짧은 자외선 파장을 사용하여 실리콘 웨이퍼에 복잡한 패턴을 생성합니다. 참고로 짧은 파장을 이용하여 패턴을 형성할 경우 더 세밀한 패턴을 제작할 수 있고 반도체의 성능은 더 좋아집니다! 그러나 EUVL의 가장 큰 난제는 빛의 흡수에 있으며, 광의 전달이 가장 큰 고민거리였습니다. 결국 반사광학계의 차용을 통해서 EUV 광을 전달 할 ..

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