바쁜 현대인을 위한 결론: 1. Optical Lithography 주요 기술들의 Concept들을 공유한다. CDU, Process Margin, Position error,… 2. Zero Defect을 위하여 Defect Engineering 비중이 높다. 측정, 검사, 수정, 세정, Pellicle 3. Mask 배율 검토시 Mask 기술 특성을 고려하여 선정함. 1X, 4X, 5X, 8X,… Exposure 부터 시작해보자. 이전 포스팅에서 EBL를 사용한다고 했다. 왜 사용하는가? Why use electrons? Because 파장이 짧아서/Electron 추출이 용이하기 때문이다. 드브로이 물질파 공식을 보면 바로 이해가 갈 수도 있다. 10keV에서 λ ~0.01nm 50kev에서 λ ~..

레이저에는 많은 종류가 있고, 그 특성도 각각 다르다는 것은 포스팅을 본 여러분들은 알고 있을 것이다. 각종 레이저 응용에서 중요하게 작용하는 것이 레이저 제어기술이다. 레이저의 제어를 어떻게 하는가는 레이저 응용면에서 핵심을 이루는 경우가 많다. 즉 각종 레이저를 어떤 분야에 응용하더라도 레이저광의 강도, 파장, 위상, 편광, 편향 및 변조 등의 제어는 빼어 놓을 수 없는 기술이다. 레이저광의 제어는 레이저 발진기 내부에서 레이저광의 강도, 파장 및 발진형태 등을 직접 제어하는 방법과 레이저 발진기에서 방사되는 레이저광을 외부에서 제어하는 방법으로 분류할 수 있다. 이제 그 제어방법과 특성 등에 대하여 알아보자! Q-스위치 레이저매질을 여기시키면 반전분포가 일어나고, 그 양은 점차 증가한다. 그러나 이..

레이저 발진모드 레이저발진은 광공진기 안에서 생기는 정재파에 따라 그 모드가 각양각색이다. 현의 진동에서 정재파의 배가 한 개일 때 기본파로 진동하는 것과 배가 두 개 및 네 개일 때 제2고조파 및 제4고조파로 진동하는 것도 있다. 이와 같은 여러 가지 모드를 진동모드라 한다. 광공진기에서도 마찬가지로 여러 가지 진동모드가 존재하게 된다. 종모드 광공진기에서 만들어지는 정재파의 주파수, 즉 공진주파수는 공진기 간격을 l, 광의 파장을 λ, 그리고 진동수를 ν라 할 때 광이 공진기 안에서 1회 왕복했을 때의 위상 변화량 2kl이 2π의 정수 배가 되는 것이다. 이것은 평면파 근사 공진조건인 kl=qπ이고, k=2π/λ=2πnν/co이 되어 q+1번째와 q번째의 공진주파수 간격 νp는 가 되며, 이를 종(l..

Photo mask 제작은 Direct lithography 이다. 기본적으로 모눈 종이 위에 그림 그리기와 비슷하다고 생각하면 된다. 모눈종이 눈금 =grid size일것이다. 최신 Photomask의 design grid 단위가 0.1nm 수준이다. 화소=minimum Δ of pattern size로 정의하면 Photomask 최신 설비(IMS)의 Grid size는 0.1nm 그렇기 때문에 포토마스크의 화소는 한 100경 화소쯤 된다. 참고로 우리 눈이 5.7억 화소이다. wafer를 direct writing 한다면 1-5nm 정도의 Grid 필요하다. 짧게 말하자면 일단 Design data를 Photomask의 resist에 직접(direct) Exposure 하는것으로 시작한다. Mask ..

레이저발진 반전분포상태인 원자계의 매질 안에서는 천이의 스펙트럼 폭에 해당하는 주파수의 전자파가 증폭된다는 것을 알았다. 다음으로 이 같은 레이저매질이 광공진기 안에 있을 경우를 생각해 보자. 전자파가 두 개의 반사거울 사이를 왕복하면서 레이저매질을 통과하기 때문에 증폭작용이 일어난다. 증폭이 반사거울의 불완전한 반사나 레이저매질 안에서 산란으로 생기는 손실을 상회할 경우, 공진기 안에 축적되는 방사에너지는 시간이 경과하면서 증가되어 간다. 이 때문에 이득의 포화효과로 증폭률이 감소하고, 발진준위가 높아지며, 결국 포화된 이득이 손실과 같아지는 점에 이르게 된다. 이 점에서는 이득에서 손실을 공제한 실질적인 이득인자는 1이 되고, 전자파의 강도는 증가하지 않게 된다. 다시 말해, 정상 발진상태가 되는 것..